[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

柱形绝缘膜，所述柱形绝缘膜被构造为贯穿半导体基板的柱形形状；

前表面侧焊盘，所述前表面侧焊盘被形成为在所述柱形绝缘膜内侧与所述半导体基板的前表面相邻；

导体层，在去除与所述前表面侧焊盘相邻的所述柱形绝缘膜内侧的所述半导体基板之后，所述导体层被布置为与所述柱形绝缘膜的内侧和所述前表面侧焊盘相邻；以及

后表面侧焊盘，所述后表面侧焊盘被布置在所述半导体基板的后表面上，并且经由所述导体层被连接至所述前表面侧焊盘。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导体层是在通过不同于等离子体蚀刻的方法去除与所述前表面侧焊盘相邻的所述柱形绝缘膜内侧的所述半导体基板之后被布置的。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述导体层是在通过湿法蚀刻去除与所述前表面侧焊盘相邻的所述柱形绝缘膜内侧的所述半导体基板之后被布置的。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述导体层是在通过化学干法蚀刻去除与所述前表面侧焊盘相邻的所述柱形绝缘膜内侧的所述半导体基板之后被布置的。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其还包括绝缘层，所述绝缘层被布置在所述半导体基板的所述前表面上并且覆盖所述前表面侧焊盘。

6.一种半导体装置的制造方法，其包括：

半导体基板去除步骤：去除与柱形绝缘膜的内侧和前表面侧焊盘相邻的半导体基板，所述前表面侧焊盘被形成为在所述柱形绝缘膜内侧与所述半导体基板的前表面相邻，所述柱形绝缘膜被构造为贯穿所述半导体基板的柱形形状；

导体层布置步骤：将导体层布置为与所述柱形绝缘膜的内侧和所述前表面侧焊盘相邻，在所述柱形绝缘膜中，已经去除了所述半导体基板；以及

后表面侧焊盘布置步骤：将后表面侧焊盘布置在所述半导体基板的后表面上，所述后表面侧焊盘经由所述导体层被连接至所述前表面侧焊盘。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述半导体基板去除步骤中，通过不同于等离子体蚀刻的方法去除与所述前表面侧焊盘相邻的所述柱形绝缘膜内侧的所述半导体基板。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述半导体基板去除步骤中，通过湿法蚀刻去除与所述前表面侧焊盘相邻的所述柱形绝缘膜内侧的所述半导体基板。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述半导体基板去除步骤中，通过化学干法蚀刻去除与所述前表面侧焊盘相邻的所述柱形绝缘膜内侧的所述半导体基板。

10.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其还包括：

绝缘层布置步骤：将绝缘层布置在所述半导体基板的所述前表面上，所述绝缘层覆盖形成的所述前表面侧焊盘，

其中，在所述半导体基板去除步骤中，在布置所述绝缘层之后去除所述半导体基板。

11.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其还包括：

柱形绝缘膜布置步骤：将所述柱形绝缘膜布置在所述半导体基板中；以及

前表面侧焊盘形成步骤：形成在布置的所述柱形绝缘膜内侧与所述半导体基板的所述前表面相邻的所述前表面侧焊盘，

其中，在所述半导体基板去除步骤中，去除与所述柱形绝缘膜的所述内侧和所述前表面侧焊盘相邻的所述半导体基板，所述前表面侧焊盘被形成为在布置的所述柱形绝缘膜内侧与所述半导体基板的所述前表面相邻。

12.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其还包括：

前表面侧焊盘形成步骤：形成与所述半导体基板的所述前表面相邻的所述前表面侧焊盘；以及

柱形绝缘膜布置步骤：布置所述柱形绝缘膜，所述柱形绝缘膜是被构造为围绕形成的所述前表面侧焊盘的柱形形状并且贯穿所述半导体基板的绝缘膜，

其中，在所述半导体基板去除步骤中，去除与所述柱形绝缘膜的所述内侧和所述前表面侧焊盘相邻的所述半导体基板，所述前表面侧焊盘被形成为在布置的所述柱形绝缘膜内侧与所述半导体基板的所述前表面相邻。