[发明专利]半导体装置有效
| 申请号: | 201880088565.6 | 申请日: | 2018-02-09 |
| 公开(公告)号: | CN111684677B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
| 发明(设计)人: | 上野诚;西村一广;山本刚司 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | H02H7/20 | 分类号: | H02H7/20;F02P3/055 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:
开关元件,其具有栅极、第1端子和第2端子,该第1端子与负载连接;
第1钳位电路,其将所述栅极和所述第1端子之间的电压钳位为小于或等于第1钳位电压;以及
控制电路,其对所述开关元件进行控制,
所述控制电路具有:
驱动部,其对所述开关元件进行驱动;
异常检测部,其在检测出动作异常时使所述驱动部停止;以及
第2钳位电路,其在所述异常检测部使所述驱动部停止时,将所述栅极和所述第1端子之间的电压钳位为小于或等于比所述第1钳位电压低的第2钳位电压,
所述第2钳位电路具有齐纳二极管和与所述齐纳二极管串联连接的晶体管,该齐纳二极管具有与所述第1端子连接的阴极和与所述栅极连接的阳极,
所述异常检测部如果检测出动作异常则将所述晶体管接通,
所述控制电路还具有:
电流检测部,其对所述开关元件的主电流进行检测;以及
断路控制部,如果在所述异常检测部检测出动作异常后所述开关元件的主电流低于一定值,则该断路控制部将所述晶体管断开,使所述开关元件的所述栅极与接地端子之间的电阻值升高。
2.一种半导体装置,其特征在于,具有:
开关元件,其具有栅极、第1端子和第2端子,该第1端子与负载连接;
第1钳位电路,其将所述栅极和所述第1端子之间的电压钳位为小于或等于第1钳位电压;以及
控制电路,其对所述开关元件进行控制,
所述控制电路具有:
驱动部,其对所述开关元件进行驱动;
异常检测部,其在检测出动作异常时使所述驱动部停止;以及
第2钳位电路,其在所述异常检测部使所述驱动部停止时,将所述栅极和所述第1端子之间的电压钳位为小于或等于比所述第1钳位电压低的第2钳位电压,
所述第2钳位电路具有齐纳二极管和与所述齐纳二极管串联连接的晶体管,该齐纳二极管具有与所述第1端子连接的阴极和与所述栅极连接的阳极,
所述异常检测部如果检测出动作异常则将所述晶体管接通,
所述控制电路还具有:
电流检测部,其对所述开关元件的主电流进行检测;以及
断路控制部,如果在所述异常检测部检测出动作异常后所述主电流低于一定值,则该断路控制部将所述晶体管断开,使所述开关元件的栅极电荷进行恒流放电。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
所述控制电路还具有连接于所述电流检测部和所述断路控制部之间的锁存电路。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
所述晶体管为纵向型绝缘栅极晶体管。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
所述电流检测部通过所述开关元件的感测电流对所述主电流进行检测。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
所述开关元件、所述第1钳位电路及所述控制电路被单芯片化。
7.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
所述开关元件由宽带隙半导体形成。
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