[发明专利]扫描信号表征诊断

权利要求书

1.用于控制光刻设备中的晶片的处理的设备，所述设备包括：

光源，用于照射所述晶片的至少一部分；

传感器，用于当所述部分被所述光源照射时感测来自所述部分的光，并用于生成表示感测到的光的扫描信号；和

处理器，布置成接收所述扫描信号，并适于分别针对所述扫描信号的多个样本中的每个样本生成多个局部拟合系数，并至少部分地基于所述多个局部拟合系数来生成控制信号；和

控制器，布置成接收所述控制信号，以至少部分地基于所述控制信号来控制处理所述晶片的至少一个方面。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一个方面是重叠对准，所述部分包括至少一个对准标记。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一个方面是化学机械抛光，所述部分包括对化学机械抛光中的变化敏感的至少一个标记。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述传感器具有物镜，所述处理器适于使用所述多个局部拟合系数中的至少一个子集来确定所述物镜与所述晶片上反射层之间的距离，其中所述控制器至少部分地基于所述距离生成所述控制信号，以至少部分地基于所述控制信号来控制曝光聚焦。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个局部拟合系数包括多个局部DC偏移系数。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个局部拟合系数包括多个局部振幅系数。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述多个局部振幅系数通过使用快速傅立叶变换来计算。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个局部拟合系数包括多个局部相位系数。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述多个局部相位系数通过使用希尔伯特变换来计算。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个局部拟合系数被平滑。

11.一种用于在光刻设备中对准晶片的系统，所述晶片包括至少一个对准标记，所述系统包括：

光源，用于照射所述标记；

传感器，用于当所述标记被所述光源照射时感测来自所述标记的光，并用于生成表示来自所述标记的光的对准扫描信号；和

处理器，布置成接收所述信号并适于针对所述信号的多个样本中的每个样本生成各自的至少一个局部拟合系数，

其中，所述光刻设备适于使用所述至少一个局部拟合系数来调整所述晶片的对准。

12.根据权利要求11所述的系统，其中所述标记是透射性的。

13.根据权利要求11所述的系统，其中所述标记是反射性的。

14.根据权利要求11所述的系统，其中所述至少一个拟合系数是局部FFT拟合系数。

15.根据权利要求11所述的系统，其中所述至少一个拟合系数被平滑。

16.根据权利要求11所述的系统，其中所述至少一个拟合系数是局部DC偏移拟合系数。

17.根据权利要求11所述的系统，其中所述至少一个拟合系数是局部希尔伯特变换拟合系数。

18.根据权利要求11所述的系统，其中所述处理器适于针对所述信号的多个样本中的每一个样本生成各自的至少一个局部拟合系数，以生成多个局部拟合系数，并从对准信号中减去所述多个拟合系数以生成残差信号，其中所述光刻设备适于使用所述残差信号来调整所述晶片的对准。