[发明专利]多孔石墨表膜有效

专利信息
申请号: 201880075083.7 申请日: 2018-11-07
公开(公告)号: CN111373328B 公开(公告)日: 2023-06-09
发明(设计)人: 马克西姆·A·纳萨勒维奇;E·库尔干诺娃;A·W·诺滕博姆;玛丽亚·皮特;彼得-詹·范兹沃勒;D·F·弗莱斯 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王益
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 多孔 石墨
【权利要求书】:

1.一种制造用于光刻设备的表膜的方法,所述方法包括:在三维模板中生长所述表膜,

其中,所述模板是沸石,以及,

所述表膜具有大于90%的EUV透射率。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述沸石选自沸石A、沸石β、丝光沸石、沸石Y、ZSM-5和菱沸石。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,其中所述沸石是被改性的沸石,其中所述被改性的沸石包括掺杂有镧、锌、钼、钇、钙、钨、钒、钛、铌、铬、钽和铪中的一种或更多种的沸石。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,所述方法包括:提供碳源,并使所述碳源传递进入到所述三维模板的材料中,其中气态碳源包括至少一个饱和或不饱和的C1至C4烃。

5.根据权利要求4所述的方法,其中所述气态碳源包括甲烷、乙烷、乙烯、乙炔、丙烷、丙烯、丙二烯、丙炔、丁烷、丁烯、丁二烯、丁三烯和丁炔中的至少一个。

6.根据权利要求4或5所述的方法,其中,所述方法包括将所述三维模板加热至第一温度以使得所述碳源碳化,其中所述第一温度为从约350℃至约800℃。

7.根据权利要求6所述的方法,其中所述三维模板被加热至高于所述第一温度的第二温度。

8.根据权利要求6或7所述的方法,其中,所述三维模板被溶解以释放含碳表膜。

9.根据权利要求8所述的方法,其中通过将所述三维模板暴露于强酸来溶解所述三维模板。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中通过使用硅晶片生产所述三维模板,其中所述硅晶片的至少一部分被转变成沸石,或其中将沸石膜沉积于所述硅晶片的表面上。

11.一种三维模板在制造表膜中的用途,其中所述三维模板被配置成制造具有大于90%的EUV透射率的所述表膜,其中所述三维模板是被改性的沸石,所述被改性的沸石已经掺杂有镧、锌、钼、钇、钙、钨、钒、钛、铌、铬、钽和铪中的一种或更多种。

12.一种用于制造表膜的三维模板,其中所述三维模板被配置成制造具有大于90%的EUV透射率的所述表膜,其中所述模板包括沸石,其中所述沸石掺杂有镧、锌、钼、钇、钙、钨、钒、钛、铌、铬、钽和铪中的一种或更多种。

13.一种表膜,具有三维结构,所述三维结构基本上对应于沸石的内部孔结构,

其中,所述表膜是含碳的,以及

所述表膜具有大于90%的EUV透射率。

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