[发明专利]用于ALD膜特性校正和可调性的多区基座

说明书

一种被配置成在衬底上进行沉积处理包括衬底支撑件，衬底支撑件包括多个区域以及布置在整个所述多个区域的多个电阻加热器。所述多个电阻加热器包括布置在所述多个区域中的相应区域中的多个独立可控的电阻加热器。控制器被配置成在所述沉积处理期间控制所述多个电阻加热器，以选择性地调整所述多个区域内的温度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年11月15日提交的美国实用专利申请No.16/192,425的优先权，并且要求于2017年11月17日提交的美国临时申请No.62/587,943以及于2017年12月21日提交的美国临时申请No.62/609,077的利益。以上引用的申请的全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及一种用于ALD衬底处理室的温度可调基座。

背景技术

这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的描述的各方面中描述的范围内的当前指定的发明人的工作既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

衬底处理系统可用于处理衬底，如半导体晶片。衬底处理的示例包括蚀刻、沉积、光致抗蚀剂移除等。在处理期间，衬底布置在衬底支撑件(如静电卡盘)上，并可将一或更多种处理气体导入至处理室中。

可通过气体输送系统，将一或更多种处理气体输送至处理室。在一些系统中，该气体输送系统包括歧管，其经由一或更多个导管连接至位于处理室中的喷头。在一些示例中，处理利用原子层沉积(ALD)，以在衬底上沉积薄膜。

发明内容

一种被配置成在衬底上进行沉积处理的衬底处理系统包括衬底支撑件，衬底支撑件包括多个区域以及布置在整个所述多个区域的多个电阻加热器。所述多个电阻加热器包括布置在所述多个区域中的相应区域中的多个独立可控的电阻加热器。控制器被配置成在所述沉积处理期间控制所述多个电阻加热器，以选择性地调整所述多个区域内的温度。

在其他特征中，所述沉积处理为原子层沉积(ALD)处理，且所述衬底支撑件为ALD基座。所述多个区域包括中心区域、在所述中心区域的径向外侧的至少一个中间区域、以及在所述至少一个中间区域的径向外侧的至少一个外边缘区域。所述至少一个外边缘区域包括邻近在所述至少一个中间区域的第一外边缘区域以及在所述第一外边缘区域的径向外侧的第二外边缘区域。所述至少一个外边缘区域在所述衬底的外边缘的径向外侧延伸。

在其他特征中，所述至少一个中间区域包括第一多个方位角区段。所述至少一个外边缘区域包括在方位角方向上偏离所述第一多个区段的第二多个区段。所述第二多个区段偏离所述第一多个区段45度。所述衬底支撑件包括加热器层，且所述多个电阻加热器嵌入在所述衬底支撑件的上层下方的所述加热器层内。所述加热器层的至少一部分设置在所述衬底的边缘的径向外侧。

一种用于衬底处理系统的衬底支撑件，衬底处理系统被配置成在衬底上进行沉积处理，所述衬底支撑件包括：基板；多个区域；以及加热器层，其设置在所述基板上。所述加热器层包括布置在整个所述多个区域中的多个电阻加热器。所述多个电阻加热器包括布置在所述多个区域的相应区域中的独立可控的电阻加热器。所述多个区域包括中心区域、在所述中心区域的径向外侧的至少一个中间区域以及在所述至少一个中间区域的径向外侧的至少一个外边缘区域。所述至少一个外边缘区域在所述衬底的外边缘的径向外侧延伸。