[发明专利]用于ALD膜特性校正和可调性的多区基座在审
| 申请号: | 201880074453.5 | 申请日: | 2018-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN111357094A | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
| 发明(设计)人: | 迈克尔·菲利普·罗伯茨;拉梅什·钱德拉塞卡拉;普尔凯特·阿加瓦尔;亚伦·宾汉;阿施施·索拉卜;拉维·库马尔;詹尼弗·利·佩特拉利亚 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/455;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 ald 特性 校正 调性 基座 | ||
1.一种衬底处理系统,其配置成在衬底上进行沉积处理,所述衬底处理系统包括:
衬底支撑件,其包括:
多个区域,以及
多个电阻加热器,其布置在整个所述多个区域,其中所述多个电阻加热器包括布置在所述多个区域中的相应区域中的多个独立可控的电阻加热器:以及
控制器,其配置成在所述沉积处理期间控制所述多个电阻加热器,以选择性地调整所述多个区域内的温度。
2.根据权利要求1所述的衬底处理系统,其中所述沉积处理为原子层沉积(ALD)处理,且所述衬底支撑件为ALD基座。
3.根据权利要求1所述的衬底处理系统,其中所述多个区域包括中心区域、在所述中心区域的径向外侧的至少一个中间区域、以及在所述至少一个中间区域的径向外侧的至少一个外边缘区域。
4.根据权利要求3所述的衬底处理系统,其中所述至少一个外边缘区域包括邻近在所述至少一个中间区域的第一外边缘区域以及在所述第一外边缘区域的径向外侧的第二外边缘区域。
5.根据权利要求3所述的衬底处理系统,其中所述至少一个外边缘区域在所述衬底的外边缘的径向外侧延伸。
6.根据权利要求3所述的衬底处理系统,其中所述至少一个中间区域包括第一多个方位角区段。
7.根据权利要求6所述的衬底处理系统,其中所述至少一个外边缘区域包括在方位角方向上偏离所述第一多个区段的第二多个区段。
8.根据权利要求7所述的衬底处理系统,其中所述第二多个区段偏离所述第一多个区段45度。
9.根据权利要求1所述的衬底处理系统,其中所述衬底支撑件包括加热器层,且所述多个电阻加热器嵌入在所述衬底支撑件的上层下方的所述加热器层内。
10.根据权利要求9所述的衬底处理系统,其中所述加热器层的至少一部分设置在所述衬底的边缘的径向外侧。
11.一种用于衬底处理系统的衬底支撑件,所述衬底处理系统配置成在衬底上进行沉积处理,所述衬底支撑件包括:
基板;
多个区域;以及
加热器层,其设置在所述基板上,其中所述加热器层包括布置在整个所述多个区域中的多个电阻加热器,其中所述多个电阻加热器包括布置在所述多个区域的相应区域中的多个独立可控的电阻加热器,
其中所述多个区域包括中心区域、在所述中心区域的径向外侧的至少一个中间区域以及在所述至少一个中间区域的径向外侧的至少一个外边缘区域,且
其中所述至少一个外边缘区域在所述衬底的外边缘的径向外侧延伸。
12.根据权利要求11所述的衬底支撑件,其中所述沉积处理为原子层沉积(ALD)处理,且所述衬底支撑件为ALD基座。
13.根据权利要求11所述的衬底支撑件,其中所述至少一个外边缘区域包括邻近于所述至少一个中间区域的第一外边缘区域以及在所述第一外边缘区域的径向外侧的第二外边缘区域。
14.根据权利要求11所述的衬底支撑件,其中所述至少一个中间区域包括第一多个方位角区段。
15.根据权利要求14所述的衬底支撑件,其中所述至少一个外边缘区域包括在方位角方向上偏离所述第一多个方位角区段的第二多个方位角区段。
16.根据权利要求15所述的衬底支撑件,其中所述第二多个方位角区段偏离所述第一多个方位角区段45度。
17.根据权利要求11所述的衬底支撑件,其中所述加热器层的至少一部分设置在所述基板的台阶状部分上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





