[发明专利]集成辐射探测器设备在审
| 申请号： | 201880062802.1 | 申请日： | 2018-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN111149208A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 彼得里·海基宁;米科·马蒂卡拉 | 申请（专利权）人： | 芬兰探测技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张少波;杨明钊 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 辐射 探测器 设备 | ||
1.一种设备，包括：
闪烁体层，所述闪烁体层被配置为将x射线或伽马射线光子转换成可见光的光子；
光电二极管层，所述二极管层被配置为将所述闪烁体层产生的可见光转换成电流；
集成电路IC层，所述IC层位于所述光电二极管层下方，并被配置为接收和处理所述电流；
其中，所述IC层的电触点使用引线接合被连接到所述光电二极管层的电触点；
并且其中，所述引线接合被保护材料覆盖，同时所述IC层的底部至少部分地暴露。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述设备还包括位于所述IC层下方的散热器。
3.根据任一前述权利要求所述的设备，其中，所述IC层的底表面与所述散热器直接接触。
4.根据任一前述权利要求所述的设备，其中，所述散热器还被配置为加固物。
5.根据任一前述权利要求所述的设备，其中，所述设备还包括位于所述光电二极管层和所述IC层之间的x射线阻挡层。
6.根据任一前述权利要求所述的设备，其中，所述IC层的电触点直接连接到所述光电二极管层的电触点。
7.根据任一前述权利要求所述的设备，其中，所述光电二极管层还包括再分布层。
8.根据任一前述权利要求所述的设备，其中，所述引线接合使用薄膜辅助模制来覆盖。
9.根据任一前述权利要求所述的设备，其中，所述IC层包括堆叠的IC芯片的多个层。
10.根据任一前述权利要求所述的设备，其中，所述设备包括瓦片。
11.一种探测器，其包括根据任一前述权利要求的瓦片的阵列。
12.一种成像系统，包括：
高能辐射源；
根据任一前述权利要求所述的探测器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
