[发明专利]选择性蚀刻的自对准过孔工艺

权利要求书

1.一种在半导体基板上暴露接触区域的方法，所述方法包括以下步骤：

选择性地使半导体基板上的第一金属相对于暴露的第一电介质材料凹陷；

在凹陷的所述第一金属和所述暴露的第一电介质材料上方形成衬垫；

在所述衬垫上方形成第二电介质材料；

在所述第二电介质材料的选定区域上方形成硬掩模；和

选择性地去除所述第二电介质材料以暴露覆盖在凹陷的所述第一金属上面的所述衬垫的一部分。

2.如权利要求1所述的暴露接触区域的方法，进一步包括以下步骤：在所述第二电介质材料上方形成第三电介质材料。

3.如权利要求2所述的暴露接触区域的方法，其中所述第三电介质材料和所述第一电介质材料是相同的材料。

4.如权利要求3所述的暴露接触区域的方法，其中选择性地去除所述第二电介质材料的步骤包括以下步骤：选择性地去除所述第三电介质材料和所述第二电介质材料。

5.如权利要求4所述的暴露接触区域的方法，其中用于选择性去除的工艺化学性质特征在于对所述第二电介质材料的选择性大于对所述第三电介质材料的选择性。

6.如权利要求2所述的暴露接触区域的方法，进一步包括以下步骤：形成覆盖在所述硬掩模上面的光刻胶图案。

7.如权利要求6所述的暴露接触区域的方法，进一步包括以下步骤：执行所述第三电介质材料的一部分的第一选择性去除，其中所述第一选择性去除不暴露所述第二电介质材料。

8.如权利要求7所述的暴露接触区域的方法，进一步包括以下步骤：在所述第一选择性去除操作之后去除所述光刻胶图案。

9.如权利要求8所述的暴露接触区域的方法，进一步包括以下步骤：执行第二选择性去除操作以去除所述第三电介质材料的第二部分和所述第二电介质材料。

10.如权利要求9所述的暴露接触区域的方法，其中所述第一选择性去除操作和所述第二选择性去除操作是大体上各向异性的。

11.如权利要求9所述的暴露接触区域的方法，其中所述第一选择性去除操作和所述第二选择性去除操作中的至少一个操作包括使用等离子体增强的含氟前驱物的干式蚀刻。

12.一种在半导体基板上暴露接触区域的方法，所述方法包括以下步骤：

选择性地使半导体基板上的金属相对于暴露的第一电介质材料凹陷以形成间隙；

形成第二电介质材料以达到所述第一电介质材料的高度，所述第二电介质材料覆盖在所述间隙内的所述金属上面；

形成覆盖在所述第二电介质材料和所述第一电介质材料上面的第三电介质材料；

在所述第二电介质材料的选定区域上方形成硬掩模；和

选择性地去除所述第三电介质材料和所述第二电介质材料以暴露凹陷的所述金属。

13.如权利要求12所述的暴露接触区域的方法，其中所述第三电介质材料和所述第一电介质材料是相同的材料。

14.如权利要求12所述的暴露接触区域的方法，其中用于选择性去除的工艺化学性质特征在于对所述第二电介质材料的选择性大于对所述第三电介质材料的选择性。

15.如权利要求12所述的暴露接触区域的方法，进一步包括以下步骤：形成覆盖在所述硬掩模上面的光刻胶图案。

16.如权利要求15所述的暴露接触区域的方法，进一步包括以下步骤：执行所述第三电介质材料的一部分的第一选择性去除，其中所述第一选择性去除不暴露所述第二电介质材料。