[发明专利]半导体装置

说明书

具备JFET(10)、MOSFET(20)、以及配置在JFET(10)的栅极电极(13)与MOSFET(20)的源极电极(21)之间的JFET用调整电阻(42)，JFET(10)的源极电极(11)和MOSFET(20)的漏极电极(22)电连接，从而JFET(10)和MOSFET(20)被级联连接。并且，JFET用调整电阻(42)具有接通动作用的第1电阻电路(421)及断开动作用的第2电阻电路(422)。

相关申请的相互参照

本申请基于2017年7月26日提出申请的日本专利申请第2017－144727号和2018年6月20日提出申请的日本专利申请第2018－117317号，这里通过参照而引用其记载内容。

技术领域

本发明涉及具有形成有结型FET(Field Effect Transistor：以下简称作JFET)的第1半导体芯片、和形成有MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor)的第2半导体芯片的半导体装置。

背景技术

以往，在专利文献1中，提出了具有形成有常导通型(normally on)的JFET的第1半导体芯片和形成有常截止(normally off)型的MOSFET的第2半导体芯片的半导体装置。具体而言，在该半导体装置中，JFET和MOSFET被级联(cascode)连接，MOSFET的源极电极和JFET的栅极电极经由调整开关速度的1个电阻而被连接。

在上述半导体装置中，例如通过在MOSFET的栅极电极上施加规定的栅极电压，在MOSFET及JFET中流过电流而成为导通(on)状态。此外，半导体装置通过在MOSFET的栅极电极上施加不足规定的电压的栅极电压(例如0V)而成为在MOSFET及JFET中不流过电流的截止(off)状态。

并且，在上述半导体装置中，通过调整配置在MOSFET的源极电极与JFET的栅极电极之间的电阻的电阻值来调整开关速度。另外，以下将JFET及MOSFET中流过电流的状态也称作半导体装置是导通状态，将JFET及MOSFET中流过的电流被切断(即，不流过电流)的状态也称作半导体装置是截止状态。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2015/114728号

但是，在上述那样的半导体装置中，仅具备1个调整JFET的开关速度的电阻。因此，在将半导体装置设为导通状态时及设为截止状态时，使用共通的电阻。因而，在上述半导体装置中，难以在设为导通状态时及设为截止状态时分别调整为希望的开关速度。

另外，设为导通状态时是指从截止状态向导通状态切换时(即过渡状态)，以下也称作进行接通动作时。设为截止状态时是指从导通状态向截止状态切换时(即过渡状态)，以下也称作进行断开动作时。

发明内容

本发明的目的在于，关于在JFET及MOSFET被级联连接的半导体装置，提供能够分别调整接通动作时的开关速度和断开动作时的开关速度的半导体装置。

根据本发明的一个观点，半导体装置具备：第1半导体芯片，形成有JFET；第2半导体芯片，形成有MOSFET；以及JFET用调整电阻，配置在JFET的栅极电极与MOSFET的源极电极之间；JFET的源极电极和MOSFET的漏极电极被电连接，从而JFET和MOSFET被级联连接；JFET用调整电阻具有接通动作用的第1电阻电路及断开动作用的第2电阻电路。

由此，配置在MOSFET的源极电极与JFET的栅极电极之间的JFET用调整电阻具有接通动作用的第1电阻电路和断开动作用的第2电阻电路。因此，在接通动作的情况下及断开动作的情况下，能够单独地进行调整以分别成为希望的开关速度。