[发明专利]用薄栅极多晶硅形成高电压晶体管的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在外围区域中的衬底的表面上形成的栅极电介质上沉积多晶硅栅极层；

在所述多晶硅栅极层上形成电介质层；

在所述电介质层上沉积高度提高(HE)膜；

针对将要在所述外围区域中形成的高压场效应晶体管(HVFET)栅极对所述HE膜、所述电介质层、所述多晶硅栅极层和所述栅极电介质进行图案化；

执行高能量注入，以在邻近所述HVFET栅极的所述衬底中的源极或漏极(S/D)区域中形成至少一个轻掺杂区域；

去除所述HE膜；和

在所述外围区域中形成低压(LV)逻辑FET，其中所述LV逻辑FET是高k金属栅极(HKMG)逻辑FET。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底中的所述轻掺杂区的深度大于所述HVFET栅极的高度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述HE膜包括沉积非晶硅膜或多晶硅膜。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括用预非晶化注入对所述HE膜注入。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述HE膜包括化学机械平面化(CMP)、等离子蚀刻或其组合。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述高能量注入包括形成轻掺杂漏极(LDD)。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述HVFET栅极包括由图案化的多晶硅栅极层形成的多晶硅栅极，并且所述方法还包括在所述多晶硅栅极上形成硅化物。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述多晶硅栅极层包括在存储器区域中形成在所述衬底的表面上的ONO堆叠上沉积所述多晶硅栅极层；和

图案化所述HE膜、所述电介质层、所述多晶硅栅极层和所述栅极电介质，还包括针对将在所述存储器区域中形成的存储器栅极(MG)对所述电介质层、所述多晶硅栅极层和所述ONO堆叠进行图案化。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

将多晶硅栅极层沉积在存储器区域中的衬底的表面上形成的ONO堆叠上，以及在外围区域中的所述衬底的表面上形成的栅极电介质上；

在所述多晶硅栅极层上形成电介质层；

在所述电介质层上沉积高度提高(HE)膜；

针对将要在所述存储器区域中形成的存储器栅极(MG)和将要在所述外围区域中形成的高压场效应晶体管(HVFET)栅极对所述HE膜、所述电介质层、所述多晶硅栅极层、所述栅极电介质和所述ONO堆叠进行图案化；

执行高能量注入，以在邻近所述HVFET栅极的所述衬底中的源极或漏极(S/D)区域中形成至少一个轻掺杂区域；

去除所述HE膜；和

在所述外围区域中形成低压(LV)逻辑FET，其中所述LV逻辑FET是高k金属栅极(HKMG)逻辑FET。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，沉积所述HE膜包括将所述HE膜沉积到足以防止来自所述高能量注入的掺杂剂到达所述HVFET栅极下方的沟道的厚度。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，沉积所述HE膜包括沉积非晶硅膜或多晶硅膜。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括用预非晶化注入对所述HE膜注入。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，去除所述HE膜包括化学机械平面化(CMP)、等离子蚀刻或其组合。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，执行所述高能量注入包括形成轻掺杂漏极(LDD)。