[发明专利]热压接合尖端及相关设备与方法

权利要求书

1.一种热压接合设备，其包括：

接合尖端，其具有包括裸片接触区域的底表面；及

低表面能LSE材料，其覆盖所述底表面的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述底表面包括大于所述裸片接触区域的长度及宽度的长度及宽度，且所述底表面的外围部分围绕所述裸片接触区域。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述LSE材料覆盖基本上整个所述底表面。

4.根据权利要求2所述的设备，其中所述LSE材料仅覆盖所述底表面中的在所述裸片接触区域外部的所述外围部分。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述裸片接触区域的长度及宽度基本上对应于要接纳在所述裸片接触区域上的半导体裸片的长度及宽度。

6.根据权利要求4所述的设备，其中所述底表面包括单个平面表面，且覆盖所述外围部分的所述低表面能材料从所述底表面突出。

7.根据权利要求4所述的设备，其中所述底表面的所述外围部分相对于所述裸片接触区域凹入达某一深度，且所述LSE材料的厚度基本上等于所述经凹入的外围部分的所述深度。

8.根据权利要求4所述的设备，其中所述裸片接触区域的长度及宽度基本上对应于要接纳在所述裸片接触区域上的半导体裸片的长度及宽度，且所述底表面的所述裸片接触区域从所述外围区域凹入某一深度，所述深度至少与要接纳在凹部中的半导体裸片的厚度一样大。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述深度等于要接纳在所述凹部中的所述裸片的所述厚度加上从所述半导体裸片突出的柱子的高度的一部分。

10.根据权利要求8所述的设备，其中所述经凹入的裸片接触区域的所述凹部的每一侧壁与所述底表面的所述外围部分的相邻区域之间的转变区域包括从所述侧壁横向向外延伸的斜面。

11.根据权利要求10所述的设备，其中每一斜面相对于相关联侧壁成约30°角度到约60°角度。

12.根据权利要求11所述的设备，其中每一斜面相对于所述相关联侧壁成约45°角度。

13.根据权利要求10所述的设备，其中所述LSE材料覆盖所述斜面。

14.根据权利要求1所述的设备，其中所述低表面能材料选自由以下项组成的群组：聚对二甲苯材料、聚四氟乙烯PTFE材料、全氟烷氧基PFA材料、石墨烯或类钻碳DLC。

15.根据权利要求1所述的设备，其中所述低表面能材料经配制以适应热量的施加且在热压接合所要的温度下基本上保持于固态而不会分解。

16.根据权利要求15所述的设备，其中热压接合所要的所述温度在约220℃到约400℃的范围内。