[发明专利]碳化硼硬掩模的干式剥除

权利要求书

1.一种剥除沉积在基板上的碳化硼层的方法，所述方法包括：

将所述基板装载到压力容器的处理区域中，所述基板上沉积有所述碳化硼层；

将所述基板暴露于处理气体，所述处理气体包括压力在500托与60巴之间的氧化剂，其中所述处理气体不包括等离子体；

将所述压力容器的所述处理区域加热到大于所述处理气体的冷凝点的温度；和

从所述压力容器去除所述处理气体与所述碳化硼层之间的反应的一种或多种产物。

2.如权利要求1所述的方法，其中将所述基板暴露于处理气体的步骤包括：

在大于10巴的压力下将所述基板暴露于蒸气。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述基板暴露于蒸气量，所述蒸气量是沉积在所述基板上的碳化硼量的至少十倍。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化剂选自由以下各者组成的群组：臭氧、氧气、水蒸气、重水、氨、过氧化物、含氢氧化物的化合物、氧同位素和氢同位素。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述基板暴露于氧化剂量，所述氧化剂量超过与沉积在所述基板上的碳化硼量完全反应所需的氧化剂量。

6.如权利要求1所述的方法，其中将所述压力容器的所述处理区域加热至300摄氏度至700摄氏度之间的温度。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述处理气体包括5％的干蒸气至100％的干蒸气。

8.一种剥除沉积在多个基板上的碳化硼层的方法，所述方法包括：

将所述多个基板同时装载到压力容器的处理区域中，所述多个基板中的每一个上沉积有所述碳化硼层；

将所述多个基板暴露于处理气体，所述处理气体包括压力在500托与60巴之间的氧化剂；

将所述压力容器的所述处理区域加热到大于所述处理气体的冷凝点的温度；和

从所述压力容器去除所述处理气体与所述碳化硼层之间的反应的一种或多种产物。

9.如权利要求8所述的方法，其中将所述多个基板暴露于所述处理气体包括：

在大于10巴的压力下将所述多个基板暴露于蒸气。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述氧化剂选自由以下各者组成的群组：臭氧、氧气、水蒸气、重水、氨、过氧化物、含氢氧化物的化合物、氧同位素和氢同位素。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述多个基板暴露于氧化剂量，所述氧化剂量超过与沉积在所述多个基板中的第一基板上的碳化硼量完全反应所需的氧化剂量。

12.如权利要求8所述的方法，其中将所述压力容器的所述处理区域加热至300摄氏度至700摄氏度之间的温度。

13.如权利要求8所述的方法，其中所述处理气体包括5％的干蒸气至100％的干蒸气。

14.一种剥除沉积在多个基板上的碳化硼层的方法，所述方法包括：

将所述多个基板同时装载到压力容器的处理区域中，所述多个基板中的每一个上沉积有所述碳化硼层；

将所述多个基板暴露于处理气体，所述处理气体包括压力在10巴与60巴之间的蒸气；

将所述压力容器的所述处理区域加热到大于所述处理气体的冷凝点的温度；和从所述压力容器中去除所述处理气体与所述碳化硼层之间的反应的一种或多种产物。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述处理气体包括5％的过热蒸气至100％的过热蒸气。