[发明专利]激光产生的等离子体源有效
| 申请号: | 201880030698.8 | 申请日: | 2018-04-17 |
| 公开(公告)号: | CN110612482B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
| 发明(设计)人: | G·H·P·M·斯温克尔斯;R·M·霍夫斯特拉;J·H·J·穆尔斯;P·W·克利里;B·P·范德里恩休伊曾 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01S3/23;H01S3/00 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 激光 产生 等离子体 | ||
1.一种用于激光产生的等离子体源的种子激光器模块,所述种子激光器模块包括:
脉冲激光源,被配置为以脉冲重复率发射源辐射脉冲;
子系统,被配置为提供电信号;以及
电光调制器,被耦合到所述子系统,并且被配置为接收所述源辐射脉冲,并且在所述电信号的控制下发射整形后的辐射脉冲;
其中所述电信号包括与所述源辐射脉冲同相的处于所述脉冲重复率的选通脉冲、以及在所述选通脉冲中的连续选通脉冲之间的一个或多个次级脉冲,以引起辐射泄漏来产生基底。
2.根据权利要求1所述的种子激光器模块,其中所述次级脉冲与所述源辐射脉冲异相180°。
3.根据权利要求1所述的种子激光器模块,其中所述次级脉冲的频率是所述脉冲重复率的N倍,其中N是大于或等于2的整数。
4.根据权利要求1、2或3所述的种子激光器模块,其中所述子系统包括被配置为供应所述选通脉冲的第一源、以及被配置为供应所述一个或多个次级脉冲的第二源。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的种子激光器模块,还包括脉冲控制器,所述脉冲控制器被配置为控制以下各项中的至少一项:所述一个或多个次级脉冲中的特定次级脉冲的幅度;所述一个或多个次级脉冲中的特定次级脉冲的持续时间;以及所述一个或多个次级脉冲中的特定次级脉冲相对于所述选通脉冲中的相关选通脉冲的相位。
6.一种用于激光产生的等离子体源的种子激光器模块,所述种子激光器模块包括:
脉冲激光源,被配置为以脉冲重复率发射源辐射脉冲;
子系统,被配置为提供电信号;以及
电光调制器,被耦合到所述子系统,并且包括电光晶体,所述电光晶体被配置为接收所述源辐射脉冲,并且在所述电信号的控制下发射整形后的辐射脉冲;
其中所述电信号包括与所述源辐射脉冲同相的处于所述脉冲重复率的选通脉冲、以及DC偏置电压,以引起辐射泄漏来产生基底。
7.一种用于激光产生的等离子体源的种子激光器模块,所述种子激光器模块包括:
脉冲激光源,被配置为以脉冲重复率发射源辐射脉冲;
子系统,被配置为提供电信号;
电光调制器,被耦合到所述子系统,并且包括电光晶体,所述电光晶体被配置为接收所述源辐射脉冲,并且在所述电信号的控制下发射整形后的辐射脉冲;以及
声学设备,被配置为向所述电光晶体施加声学信号,以引起辐射泄漏来产生基底。
8.根据权利要求7所述的种子激光器模块,其中所述声学设备包括机械地被耦合到所述晶体的换能器。
9.一种用于激光产生的等离子体源的种子激光器模块,所述种子激光器模块包括:
脉冲激光源,被配置为以脉冲重复率发射源辐射脉冲;
子系统,被配置为提供电信号;
电光调制器,被耦合到所述子系统,并且被配置为接收所述源辐射脉冲,并且在所述电信号的控制下发射整形后的辐射脉冲,所述电光调制器包括偏振器;以及
调整器,被配置为旋转所述偏振器,以引起辐射泄漏来产生基底。
10.根据权利要求9所述的种子激光器模块,其中所述电光调制器从所述脉冲激光源开始依次包括第一偏振器、具有可控双折射的第一晶体、与所述第一偏振器正交取向的第二偏振器、具有可控双折射的第二晶体、以及与所述第一偏振器平行取向的第三偏振器;以及
其中所述调整器被配置为旋转所述第二偏振器。
11.根据权利要求9所述的种子激光器模块,其中所述电光调制器从所述脉冲激光源开始依次包括第一偏振器、具有可控双折射的第一晶体、与所述第一偏振器正交取向的第二偏振器、具有可控双折射的第二晶体、以及与所述第一偏振器平行取向的第三偏振器;以及
其中所述调整器被配置为旋转所述第一偏振器和所述第三偏振器。
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