[发明专利]具有相对于调制电极横向移位的导电平面的高频光学调制器在审

专利信息
申请号: 201880027322.1 申请日: 2018-02-21
公开(公告)号: CN110546563A 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 陈承坤;马克西姆·普瓦里耶;拉古拉姆·纳拉扬;米林德·戈卡莱;马塞尔·热拉尔·布德罗 申请(专利权)人: 新飞通光电公司
主分类号: G02F1/225 分类号: G02F1/225;G02F1/21
代理公司: 11021 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 纪雯<国际申请>=PCT/US2018/
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 干涉仪 光学调制器 接地平面 子基座 传输线电极 半导体材料 半导体光波导 光学芯片 调制器 光波导 隔开 取向 关联
【权利要求书】:

1.一种光学调制器,包括:子基座、被设计为承载RF信号的导电路径、以及光学芯片,所述光学芯片包括基板和两个半导体光波导,沿着光波导表面的至少一部分具有导电元件,其中,所述光学芯片附接到所述子基座,其中光学芯片基板背离所述子基座取向并且所述两个半导体光波导朝向所述子基座取向,其中,所述子基座包括从所述光学芯片的导电RF电极偏移的导电平面,其中,所述光学芯片还包括两个导电RF电极和附加导电元件,所述两个导电RF电极分别与对应的光波导相邻,所述附加导电元件将所述导电RF电极中的一个导电RF电极沿对应的半导体波导的表面连接到对应的导电元件,并且其中所述导电路径电连接到所述光学芯片的导电RF电极。

2.根据权利要求1所述的光学调制器,其中,所述光学芯片还包括分别与所述半导体光波导的端部连接的两个光耦合器/分束器。

3.根据权利要求2所述的光学调制器,其中,一个光耦合器光连接到激光源,并且其中另一个光耦合器/分束器光连接到光纤。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的光学调制器,其中,所述导电路径位于所述子基座上,并且其中附加导电材料在所述导电RF电极与所述子基座上的导电路径之间形成电连接。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的光学调制器,其中,所述导电路径连接到RF源。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的光学调制器,还包括绝缘柱,在所述光学芯片和所述子基座上的位置之间,使所述光学调制器稳定。

7.一种光学调制器,包括Mach-Zehnder干涉仪和与所述Mach-Zehnder干涉仪接口连接的一对RF电极,所述Mach-Zehnder干涉仪包括光分束器、两个光波导臂和光合束器,所述光分束器连接到光输入波导,所述两个光波导臂光连接到所述光分束器,所述光合束器光连接到两个光波导和输出波导,其中,所述光波导包括半导体光学材料,电触点位于光波导臂表面的部分上,并且所述一对RF电极中的每一个包括传输线电极和接地平面,所述传输线电极通过附加电极连接到相应光波导上的电触点,并且所述接地平面在不同的平面中与所述传输线电极间隔开。

8.根据权利要求7所述的光学调制器,其中,所述半导体光波导各自包括固有的或不导电的半导体基层、相对于所述基层在所述固有的半导体层上方的掺杂的或导电的半导体层、相对于所述基层在所述第一掺杂的或导电的半导体层上方的第二固有的或不导电的半导体堆叠层、以及在所述第二固有的或不导电的半导体层上方的掺杂的或导电的半导体层,从而形成n-c-n-c结构,其中n表示不导电,并且c表示导电。

9.根据权利要求7或8所述的光学调制器,还包括子基座,并且其中所述半导体光波导的至少一部分被集成在与所述子基座组装的光学芯片上,并且其中所述子基座包括所述接地平面。

10.根据权利要求9所述的光学调制器,还包括导电引线结合球,在所述光学芯片和所述子基座上的位置之间,使所述光学调制器稳定。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的光学调制器,还包括一个附加的Mach-Zehnder干涉仪和与所述附加的Mach-Zehnder干涉仪相关联的一对附加的RF电极,其中,所述附加的Mach-Zehnder干涉仪包括与光输入波导连接的光分束器、与所述光分束器光连接的两个光波导臂、以及与两个光波导和输出波导光连接的光合束器,每个Mach-Zehnder干涉仪的两个输入波导通过分束器连接到单个光输入,每个Mach-Zehnder干涉仪的两个输出波导通过合束器连接到单个光输出,其中所述光波导包括半导体光学材料,电接触点位于光波导臂表面的部分上,并且一对附加的RF电极中的每一个包括通过附加电极连接到相应的光波导上的电触点的传输线电极以及接地平面,接地平面在不同的平面中与所述传输线电极间隔开,其中,所得结构被称为第一I-Q对的经调制Mach-Zehnder干涉仪。

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