[发明专利]动态终止边缘控制

说明书

装置(10)及方法(200)包含在命令接口(14)处接收在操作期间断言裸片上终止ODT的命令。经由输入接收移位模式寄存器值的指示。所述移位模式寄存器值对应于所述命令的上升边缘在后向方向上的移位数目。延迟管线(80)使所接收到的命令在所述后向方向上延迟所述数目个移位以生成经移位上升边缘命令信号。组合电路(114)经配置以组合下降边缘命令信号与所述经移位上升边缘命令信号以形成经转换命令。

技术领域

本发明的实施例大体上涉及半导体装置领域。更明确来说，本发明的实施例涉及动态裸片上终止(ODT)。

背景技术

半导体装置，例如微型计算机、存储器、门阵列以及其它，可利用裸片上终止(ODT)。ODT的激活会干扰一些操作(例如，存储器读取)但可增强其它操作(例如，存储器写入)。因此，可使用基于各种因素断言的一或多个信号RTT动态地激活ODT。举例来说，RTT可包含四种类型中的一者：1)非基于命令的RTT-PARK，其在任何时间在模式寄存器中启用；2)动态RTT，其与写入命令一起发生；3)WR标称RTT，其与非目标写入命令一起发生；及4)RD标称RTT，其与非目标读取命令一起发生。全部这些模式可在数据引脚(DQ)处产生ODT。对于读取操作，全部这些类型的RTT可在读取突发期间停用以防止在DQ处引起冲突。在一些实施例中，可存在确定哪一类型的RTT具有整体优先级及/或在某些条件下具有优先级的优先权列表。举例来说，在一些实施例中，RTT-PARK可具有最低优先权，而RTT-OFF(ODT停用)在读取期间具有最高优先权。

在存储器装置的一些实施例中，RTT信号可经断言以基于cas写入延时(CWL)、cas延时(CL)、数据突发长度、写入前导及/或独立于延时创建动态RTT窗。CL是列存取选通延时，其是存储器控制器告诉存储器模块存取特定存储器列的时间与给定阵列位置中的数据可用的时间之间的延迟时间。此外，CWL是从写入命令被断言时到在数个时钟循环中输入第一数据的时间周期。然而，此时序可能是十分严格的以防止动态RTT窗在可受有效的RTT不利地影响的其它操作(例如，读取操作)期间是有效的。

本发明的实施例可涉及上文陈述的问题中的一或多者。

附图说明

图1是说明根据本发明的实施例的存储器装置的某些特征的简化框图；

图2是根据本发明的实施例的用于在图1的存储器装置的某些操作期间提供ODT的裸片上终止(ODT)命令的时序图；

图3是根据本发明的实施例的延迟ODT命令以提供ODT命令的可用前向或后向移位的延迟管线的框图；

图4是根据本发明的实施例的组合来自图3的延迟管线的经移位ODT命令以形成输出脉冲的选择及组合电路的框图；

图5是根据本发明的实施例的经组合以使用图4的选择及组合电路形成经移位及经扩展ODT命令的经移位ODT命令的时序图；

图6是根据本发明的另一实施例的经组合以使用图4的选择及组合电路用实例值形成经移位及经扩展ODT命令的经移位ODT命令的时序图；及

图7是根据本发明的实施例的用于移位及/或扩展存储器装置的ODT命令的过程的框图。

具体实施方式

下文将描述一或多个特定实施例。为了提供这些实施例的简洁描述，在说明书中并不描述实际实施方案的所有特征。应了解，在任何此实际实施方案的开发中，如在任何设计制造或设计项目中，必须进行众多实施方案特定决策以实现开发者的特定目标，例如遵守系统相关及商业相关约束，其可因实施方案而异。此外，应了解，此开发工作可为复杂且耗时的，但尽管如此，对于受益于本发明的一般技术人员来说，其可为日常设计及制造(fabrication/manufacture)工作。