[发明专利]半导体装置

说明书

本发明的一方案提供的半导体装置包括开关元件、基板、表面导电层、第一端子至第三端子、密封树脂。上述第一端子至第三端子分别沿与上述基板的厚度方向为直角的第一方向从上述密封树脂向相同侧突出。上述第一端子至第三端子在与上述厚度方向以及上述第一方向的任一个均为直角的第二方向上相互离开。上述第一端子在上述第二方向上，在上述第一端子至第三端子中位于最外侧。上述密封树脂具有根侧部、前端侧部。上述根侧部在上述第二方向上的上述第一端子与上述第三端子之间，在上述第一方向上位于上述第一端子以及上述第三端子的上述开关元件侧。上述前端侧部在上述第一方向上位于上述第一端子以及上述第三端子的从上述密封树脂露出的前端侧。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

使用于反馈电路、转换电路等的电子电路的开关装置具备开关元件。作为开关元件已知Si开关元件、SiC开关元件。SiC开关元件例如包括SiC-MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)、SiC-双极晶体管(Bipolar Transistor)、SiC-JFET(Junction Field Effect Transistor)、SiC-IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor)等。

发明内容

本发明将提供更适合的半导体装置作为课题之一。例如，并未限定，但将提供能实现高耐电压化与应答速度的高速化的半导体装置作为课题之一。

根据本发明的第一方案，提供一种半导体装置，具备：开关元件，具有第一电极、第二电极以及第三电极，通过在向上述第一电极以及上述第三电极间施加了电位差的状态下向上述第二电极以及上述第三电极间施加驱动电压而对上述第一电极以及上述第三电极间进行接通/断开控制；具有表面以及背面且由绝缘性材料构成的基板；表面导电层，其形成于上述基板的上述表面，并包括接合了上述开关元件的上述第一电极的第一电极部；通过上述第一电极部与上述第一电极导通的第一端子；与上述第二电极导通的第二端子；与上述第三电极导通的第三端子；以及覆盖上述表面导电层的至少一部分、上述第一端子至上述第三端子的各一部分以及上述开关元件的密封树脂，上述第一端子至上述第三端子分别沿与上述基板的厚度方向为直角的第一方向从上述密封树脂向相同侧突出，上述第一端子至上述第三端子在与上述厚度方向以及上述第一方向的任一个都为直角的第二方向上相互离开，上述第一端子在上述第二方向上位于上述第一端子至上述第三端子中的最外侧，上述密封树脂在上述第二方向上的上述第一端子与上述第三端子之间具有在上述第一方向上位于上述第一端子以及上述第三端子的上述开关元件侧的根侧部、位于上述第一端子以及上述第三端子的在上述第一方向上从上述密封树脂露出的前端侧的前端侧部。

根据本发明的第二方案，提供一种半导体装置，具备：开关元件，其具有第一电极、第二电极以及第三电极，并通过在向上述第一电极以及上述第三电极间施加电位差的状态下向上述第二电极以及上述第三电极间施加驱动电压而对上述第一电极以及上述第三电极间进行接通/断开控制；具有表面以及背面并由绝缘性材料构成的基板；表明导电层，其形成于上述基板的上述表面，并且包括接合了上述开关元件的上述第一电极的第一电极部；通过上述第一电极部与上述第一电极导通的第一端子；与上述第二电极导通的第二端子；与上述第三电极导通的第三端子；覆盖上述表面导电层的至少一部分、上述第一端子至上述第三端子的各一部分以及上述开关元件的密封树脂，上述第一端子至第三端子分别沿与上述基板的厚度方向为直角的第一方向从上述密封树脂向相同侧突出，上述第一端子至第三端子在与上述厚度方向以及上述第一方向的任一个均为直角的第二方向上相互离开，上述第一端子在上述第二方向上位于上述第一端子至第三端子中的最外侧，上述第一端子与上述第三端子在上述第二方向上的距离比上述第三端子与上述第二端子在上述第二方向上的距离大。