[发明专利]弹性波装置、分波器以及通信装置

说明书

SAW装置具有：压电基板；IDT电极，位于压电基板的上表面；外罩，从IDT电极的上方覆盖压电基板的上表面；至少一个第1贯通导体，从压电基板的上表面侧向外罩的上表面侧将外罩的至少一部分贯通；至少一个第2贯通导体，俯视情况下位于比第1贯通导体更靠压电基板的内侧的位置，从压电基板的上表面侧向外罩的上表面侧将外罩的至少一部分贯通，且直径比第1贯通导体小；和导电层，位于外罩的上表面，与第2贯通导体的上端重叠。

技术领域

本公开涉及利用弹性波的电子部件即弹性波装置、包含该弹性波装置的分波器以及通信装置。弹性波例如是声表面波(SAW：surface acoustic wave)。

背景技术

作为弹性波装置，已知所谓的WLP(晶片级封装)型的装置(例如专利文献1)。WLP型的弹性波装置例如具有：压电基板；位于压电基板的上表面的激励电极；从激励电极的上方覆盖压电基板的上表面并将激励电极密封的外罩；贯通外罩的端子(贯通导体)；和设置于外罩的上表面且加强外罩的导电层。端子的下端经由设置于压电基板的上表面的布线图案而与激励电极连接。端子的上端可能与外罩上的导电层连接。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2010-56671号公报

发明内容

本公开的一方式所涉及的弹性波装置具有：基板，包含压电基板；激励电极，位于所述压电基板的上表面；外罩，从所述激励电极的上方覆盖所述基板的上表面；至少一个第1贯通导体，从所述基板的上表面侧向所述外罩的上表面侧将所述外罩的至少一部分贯通；至少一个第2贯通导体，俯视情况下位于比所述第1贯通导体更靠所述基板的内侧的位置，从所述基板的上表面侧向所述外罩的上表面侧将所述外罩的至少一部分贯通，且直径比所述第1贯通导体小；和导电层，位于所述外罩的上表面或者内部，与所述第2贯通导体的上端重叠。

本公开的一方式所涉及的弹性波装置具有：基板，包含压电基板；激励电极，位于所述压电基板的上表面；外罩，从所述激励电极的上方覆盖所述基板的上表面；至少一个贯通孔，从所述基板的上表面侧向所述外罩的上表面侧将所述外罩贯通；至少一个贯通导体，俯视情况下位于比所述贯通孔更靠所述基板的内侧的位置，从所述基板的上表面侧向所述外罩的上表面侧将所述外罩的至少一部分贯通，且直径比所述贯通孔小；和导电层，位于所述外罩的上表面或者内部，与所述贯通导体的上端重叠。

本公开的一方式所涉及的分波器包含：与端子连接的发送滤波器；和与所述端子连接的接收滤波器，所述发送滤波器以及所述接收滤波器的至少一方包含上述的弹性波装置。

本公开的一方式所涉及的通信装置具有：天线；与所述天线连接的上述的弹性波装置；和与所述弹性波装置连接的IC。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的SAW装置的外观立体图。

图2是将图1的SAW装置的一部分断裂表示的立体图。

图3是图1的SAW装置的俯视图。

图4是图1的SAW装置的压电基板的俯视图。

图5的(a)是与图4的Va-Va线对应的剖视图，图5的(b)是图5的(a)的区域Vb的放大图，图5的(c)是图5的(a)的区域Vc的放大图。

图6的(a)、图6的(b)以及图6的(c)是用于对图1的SAW装置的制造方法的一个例子进行说明的示意性的剖视图。

图7的(a)、图7的(b)、图7的(c)以及图7的(d)是用于对图1的SAW装置的作用的一个例子进行说明的剖视图。

图8的(a)、图8的(b)以及图8的(c)是表示变形例所涉及的SAW装置的结构的剖视图。

图9是表示作为图1的SAW装置的应用例的分波器的结构的电路图。