[发明专利]将EUV范围的光刻掩模的测量数据从第一环境变换到第二环境的方法和设备

权利要求书

1.一种用于将极紫外(EUV)波长范围的光刻掩模(300)的测量数据(640)从第一环境(150)变换到第二环境(350)的方法，其中所述方法包括以下步骤：

a.确定在所述第一环境(150)中的所述光刻掩模(300)的测量数据(640)，其中所述测量数据(640)受内部应力对所述光刻掩模(300)的效应的影响；

b.决定在从所述第一环境(150)到所述第二环境(350)的转变期间所述测量数据(640)的至少一个变化(390、450、550)，在所述变化中，所述内部应力对所述光刻掩模(300)的效应至少被部分补偿，其中决定所述测量数据(300)的至少一个变化(390、550)包括：决定在从所述第一环境(150)到所述第二环境(350)的转变期间所述光刻掩模(300)的中性纤维(510)的空间取向的变化；以及

c.用步骤b中所决定的测量数据(640)的至少一个变化(390、450、550)来校正步骤a中确定的所述测量数据(640)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述测量数据(640)包括确定图案元件(360)在所述光刻掩模(300)的表面(335)上的坐标，和/或确定所述测量数据(640)包括确定所述光刻掩模(300)的表面轮廓(850)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中确定所述光刻掩模(300)的表面轮廓(850)在确定图案元件(360)的坐标的同时实现，或者所述表面轮廓(850)在单独的测量中确定。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一环境(150)包括其中所述光刻掩模(300)由三点安装件(140)锚定的测量环境。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括以下步骤：通过有限元模拟确定所述光刻掩模(300)的重力效应并且在步骤b中决定所述测量数据(640)的至少一个变化(450、550)时考虑所述重力效应。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一环境(150)包括其中所述光刻掩模(300)由卡盘(330)锚定的测量环境。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二环境(350)包括其中所述光刻掩模(300)由卡盘(330)锚定的EUV光刻设备。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中所述光刻掩模(300)的锚定实质上产生所述光刻掩模(300)的背面表面(315)的平坦区域(325)。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中确定在所述第一环境(150)中的光刻掩模(300)的测量数据(640)包括：用光子束和/或电子束辐照所述光刻掩模(300)。

10.根据权利要求1所述的方法，其中决定所述中性纤维(510)的空间取向的变化包括决定所述第一环境(150)中的所述光刻掩模(300)的放大率相对于所述第二环境(350)的变化。

11.根据权利要求10所述的方法，其中决定所述放大率的变化包括确定各向同性放大倍率和/或包括确定至少两个放大倍率，所述两个放大倍率捕获所述第一环境(150)中的所述光刻掩模(300)的各向异性放大率。

12.根据权利要求1所述的方法，其中决定所述中性纤维(510)的空间取向的变化包括：从数据库读取所述中性纤维(510)的空间取向的变化，所述数据库包括不同掩模类型的中性纤维(510)的空间取向。

13.根据权利要求1所述的方法，其中决定所述中性纤维(510)的空间取向的变化包括：实行在所述第一环境(150)中的所述光刻掩模(300)的有限元模拟，以确定所述中性纤维(510)的空间取向的变化。