[发明专利]磁阻元件以及磁阻元件的制造方法

权利要求书

1.一种磁阻元件的制造方法，是磁阻效应元件的制造方法，包括：

第一工序，将层叠膜加工成规定的形状，上述层叠膜包括通过磁场使电阻变化的磁阻效应膜、和该磁阻效应膜的上层的厚度10nm～60nm的范围内的覆盖层；

第二工序，以绝缘膜覆盖保护上述层叠膜；

第三工序，通过反应性蚀刻在上述绝缘膜形成开口以使上述覆盖层的表面在该开口露出；

第四工序，对通过上述第三工序在上述开口露出的上述覆盖层的表面进行离子铣削，来对该覆盖层在小于其总膜厚的范围内进行蚀刻；以及

第五工序，与在上述第四工序后保留的上述覆盖层的表面接触地对成为产品的一部分的上部层进行成膜。

2.根据权利要求1所述的磁阻元件的制造方法，其中，

在上述第四工序中，通过离子铣削对上述覆盖层进行蚀刻的膜厚为0.5nm～59.5nm的范围。

3.根据权利要求1或者权利要求2所述的磁阻元件的制造方法，其中，

上述覆盖层的材料是从Ru、Ta、Al、Ag、Au、Si、Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、W中选择的一种或两种以上的材料。

4.根据权利要求1或者权利要求2所述的磁阻元件的制造方法，其中，

上述绝缘膜的材料是热氧化硅，上述反应性蚀刻的工艺气体是氟系和氧的混合气体。

5.根据权利要求1或者权利要求2所述的磁阻元件的制造方法，其中，

在水平方向上，在比通过上述第一工序加工成的上述覆盖层的外缘靠内侧配置通过上述第三工序形成的开口的外缘。

6.一种磁阻元件，具备通过磁场使电阻变化的磁阻效应膜、该磁阻效应膜的上层的覆盖层、以及与上述覆盖层的表面接触地成为产品的一部的上部层，其中，

上述覆盖层具有从相对于上述磁阻效应膜的相反面凹陷的凹结构，成为上述产品的一部分的上部层接触的表面是该凹结构的内底面，

上述凹结构的内底面的周围的上述覆盖层的层厚为10nm～60nm的范围内。

7.根据权利要求6所述的磁阻元件，其中，

上述凹结构的内底面的周围上端和该内底面的落差为0.5nm～59.5nm的范围。

8.根据权利要求6或者权利要求7所述的磁阻元件，其中，

上述覆盖层的材料是从Ru、Ta、Al、Ag、Au、Si、Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、W中选择的一种或两种以上的材料。

9.根据权利要求6或者权利要求7所述的磁阻元件，其中，

上述磁阻效应膜的周围、上述覆盖层的周围、上述凹结构的内底面的周围上端面以及成为上述产品的一部分的上部层的周围被绝缘膜覆盖保护。

10.根据权利要求9所述的磁阻元件，其中，

上述绝缘膜的材料是热氧化硅。

11.根据权利要求6或者权利要求7所述的磁阻元件，其中，

成为上述产品的一部分的上部层是电极层。

12.根据权利要求6或者权利要求7所述的磁阻元件，其中，

上述磁阻效应膜的与上述覆盖层接触的层是强磁性层，

成为上述产品的一部分的上部层是软磁性层。

13.根据权利要求12所述的磁阻元件，其中，

上述软磁性层与上述强磁性层之间的上述覆盖层的膜厚小于1nm。