[发明专利]用于溅射线圈的颗粒捕集器及其制造方法

说明书

本文公开了一种包括颗粒捕集器的溅射室部件，该颗粒捕集器包括在溅射室部件的表面的至少一部分上形成的图案化宏观纹理。图案化宏观纹理具有凹痕，该凹痕具有深度并且按重复图案布置。图案化宏观纹理具有沿第一方向延伸的第一线，第一线形成将相邻凹痕沿第二方向分离的侧壁。图案化宏观纹理具有沿第二方向延伸的第二线。第二方向与第一方向成大于0度且小于180度的角度，第二线形成将相邻凹痕沿第一方向分离的侧壁。图案化宏观纹理具有在图案化宏观纹理上形成的随机图案微观纹理；微观纹理的高度小于凹痕的深度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年11月21日提交美国专利申请号15/819,352的优先权，并且还要求2017年1月20日提交的临时申请号62/448,752的优先权，这两篇专利申请全文均通过引用方式并入本文。

技术领域

本公开涉及在物理气相沉积装置中使用的具有颗粒捕集器的溅射室部件。更具体地，本公开涉及具有较少颗粒的溅射捕集器及其制造方法。

背景技术

沉积方法用于在基板表面上形成材料膜。沉积方法可用于(例如)半导体器件制造过程中，以形成最终用于制造集成电路和器件的层。沉积方法的一个示例是物理气相沉积(PVD)。PVD方法可包括溅射过程。溅射包括形成待沉积的材料靶，以及将该靶作为邻近强电场的带负电的阴极提供。电场用于电离低压惰性气体并形成等离子体。通过电场，等离子体中的带正电的离子朝向带负电的溅射靶加速。离子冲击溅射靶，从而射出靶材料。射出的靶材料主要为原子或原子团的形式，并且可用于在溅射过程期间将薄的均匀膜沉积在放置于靶附近的基板上。

希望开发在不引起短路、等离子体电弧、沉积过程中断或颗粒生成的情况下与沉积装置、溅射室系统和/或离子化等离子体沉积系统一起使用的部件。并且期望改进用于沉积装置的部件。

发明内容

本文公开了一种包括颗粒捕集器的溅射室部件，该颗粒捕集器包括在颗粒捕集器的表面的至少一部分上形成的图案化宏观纹理。图案化宏观纹理具有凹痕，该凹痕具有深度并且按重复图案布置。图案化宏观纹理具有沿第一方向延伸的第一线，第一线形成将相邻凹痕沿第二方向分离的侧壁。图案化宏观纹理具有沿第二方向延伸的第二线。第二方向与第一方向成大于0度且小于180度的角度，第二线形成将相邻凹痕沿第一方向分离的侧壁。图案化宏观纹理具有在图案化宏观纹理上形成的随机图案微观纹理；微观纹理的高度小于凹痕的深度。

本文公开了一种具有颗粒捕集器的溅射室线圈，该颗粒捕集器包括限定形成到表面中的多个相邻凹痕的宏观纹理。凹痕具有深度和宽度，深度被定义为从每个凹痕的表面至底部的距离。相邻的凹痕通过侧壁彼此分离。微观纹理叠放在宏观纹理上。微观纹理的高度小于凹痕的深度。

本文还公开了一种在溅射室部件上形成颗粒捕集器的方法。该方法包括形成第一表面纹理，该第一表面纹理具有形成到第一表面中的凹痕图案，其中相邻凹痕通过侧壁彼此分离，该凹痕具有深度和宽度。该方法还包括在第一表面纹理上形成第二表面纹理。第二表面纹理是随机的，并且其平均高度小于多个图案化凹痕中的每个凹痕的深度。

虽然公开了多个实施方案，但是本领域技术人员从以下示出并描述了本发明的例示性实施方案的具体实施方式中将理解本发明的其他实施方案。因此，附图和具体实施方式本质上被认为是例示性的而非限制性的。

附图说明

图1为可用于溅射装置的示例性线圈的顶视图。

图2为可用于溅射装置的示例性线圈的侧视图。

图3为示出根据一些实施方案，可用于颗粒捕集器上的示例性滚花图案的显微图。

图4为可用于颗粒捕集器上的滚花图案的比较实施例的显微图。

图5为根据一些实施方案，可用于颗粒捕集器上的示例性滚花图案的示意图。