[发明专利]磁化反转元件、磁阻效应元件和存储设备有效
| 申请号： | 201880000876.2 | 申请日： | 2018-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN108738371B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 及川亨;佐佐木智生;盐川阳平;柴田龙雄 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/82 | 分类号： | H01L29/82;H01F10/16;H01F10/32;H01L21/8239;H01L27/105;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;吕秀平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁化 反转 元件 磁阻 效应 存储 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁化反转元件，其特征在于，具有：
铁磁性金属层；
自旋轨道转矩配线，其沿相对于所述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸，所述铁磁性金属层位于所述自旋轨道转矩配线的一个面上；和
插入层，其设置于所述铁磁性金属层和所述自旋轨道转矩配线之间，
从所述自旋轨道转矩配线向所述铁磁性金属层注入的自旋的方向相对于所述铁磁性金属层的磁化的方向交叉，
所述插入层包含熔点的温度为2000度以上的重金属或含有所述重金属的合金，膜厚小于原子半径的2倍，并且俯视具有多个间隙。
2.如权利要求1所述的磁化反转元件，其特征在于：
从所述自旋轨道转矩配线向所述铁磁性金属层注入的自旋的方向相对于所述铁磁性金属层的磁化的方向倾斜45°以上90°以下。
3.如权利要求1所述的磁化反转元件，其特征在于：
所述铁磁性金属层的膜厚为4nm以下。
4.一种磁阻效应元件，其特征在于，具有：
权利要求1～3中任一项所述的磁化反转元件；以及
在所述铁磁性金属层的与所述自旋轨道转矩配线相反侧的面依次层叠的非磁性层和第二铁磁性金属层。
5.一种存储设备，其特征在于：
具有权利要求4所述的磁阻效应元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社，未经TDK株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880000876.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：成像装置和电子装置
- 下一篇：拍摄装置以及图像处理装置
- 同类专利
- 专利分类
