[发明专利]晶体振荡器有效

专利信息
申请号: 201880000270.9 申请日: 2018-03-09
公开(公告)号: CN108401476B 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 张孟文 申请(专利权)人: 深圳市汇顶科技股份有限公司
主分类号: H03B5/36 分类号: H03B5/36;H03B5/06;H03B5/04
代理公司: 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 代理人: 孙涛;毛威
地址: 518045 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 晶体振荡器
【说明书】:

本申请公开了一种晶体振荡器,包括:晶体;振荡电路,包括第一振荡晶体管和第二振荡晶体管,其中所述第一振荡晶体管和所述第二振荡晶体管用于为所述晶体的起振和维持振荡提供跨导;第一驱动电路,用于产生稳定的参考电流;以及第二驱动电路,用于为所述振荡电路提供工作电压,以及根据所述参考电流使所述第一振荡晶体管和所述第二振荡晶体管的工作电流为稳定电流,其中,所述工作电压用于控制所述第一振荡晶体管和所述第二振荡晶体管工作在亚阈值区。

技术领域

本申请实施例涉及电路领域,并且更具体地,涉及一种晶体振荡器。

背景技术

皮尔斯振荡器(Pierce oscillator,或称皮尔斯晶体振荡器)是一种采用反相器结构的晶体振荡器,皮尔斯振荡器中的两个金属氧化物半导体场效应晶体管(MetallicOxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)都贡献跨导,有利于降低持振荡所需的功耗。但是,皮尔斯振荡器存在一些问题,两个MOS管的偏置电流受MOS管的栅源电压VGS的影响,并且两个MOS管的栅源电压之和为电源电压VDD,因此,若VDD较大时,MOS管的VGS也必然较大,可能会导致严重的高阶效应,带来的问题是虽然MOS管的功耗很大,但实际上MOS管并未提供足够的跨导量,不利于晶体的快速起振。

发明内容

本申请实施例提供了一种晶体振荡器,能够通过较小的功耗提供较大的跨导用于晶体的快速起振。

第一方面,提供了一种晶体振荡器,包括:晶体;振荡电路,包括第一振荡晶体管和第二振荡晶体管,其中所述第一振荡晶体管和所述第二振荡晶体管用于为所述晶体的起振和维持振荡提供跨导;第一驱动电路,用于产生稳定的参考电流;以及第二驱动电路,用于为所述振荡电路提供工作电压,以及根据所述参考电流使所述第一振荡晶体管和所述第二振荡晶体管的工作电流为稳定的电流,其中,所述工作电压用于控制所述第一振荡晶体管和所述第二振荡晶体管工作在亚阈值区。

因此,本申请实施例的晶体振荡器,可以为振荡电路提供稳定的工作电压和稳定的工作电流,从而使得所述晶体振荡器的功耗可控,并且,所述工作电压能够使得晶体管工作在亚阈值区,从而能够使得在相同的电流条件下,晶体管能够提供更大的跨导,有利于晶体振荡器的快速起振,并且有利于降低晶体振荡器的功耗。

结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述第二驱动电路包括负反馈回路,所述负反馈回路用于接收所述第一驱动电路产生的所述参考电流,根据所述参考电流产生所述工作电压。

结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述负反馈回路包括第一流控晶体管和第二流控晶体管,所述第一流控晶体管和所述第二流控晶体管用于控制所述第一振荡晶体管和所述第二振荡晶体管的工作电流为稳定的电流。

结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述第一流控晶体管和所述第二流控晶体管的连接结构与所述第一振荡晶体管和所述第二振荡晶体管的连接结构相同,并且所述第一振荡晶体管和所述第一流控晶体管的尺寸的比值等于所述第二振荡晶体管和所述第二流控晶体管的尺寸的比值。

结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述负反馈回路还包括第三流控晶体管、放大器和第一压控晶体管,所述第三流控晶体管用于控制所述第一振荡晶体管和所述第二振荡晶体管的工作电流,所述放大器通过所述第一压控晶体管向所述振荡电路输出所述工作电压;

所述第三流控晶体管的漏极连接所述第一驱动电路,用于接收所述第一驱动电路输出的所述参考电流,所述第一流控晶体管的栅极和漏极连接,所述第二流控晶体管的栅极和漏极连接,所述第三流控晶体管的栅极和漏极连接;

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