[实用新型]一种高性能的绿光二极管多量子阱结构有效
| 申请号： | 201822229412.9 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN209104183U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 董海亮;许并社;贾伟;张爱琴;屈凯;李天保;梁建 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 任林芳 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长方向 掺杂的 渐变 垒层 多量子阱结构 绿光二极管 单组结构 线性递减 掺杂 半导体材料 本实用新型 载流子复合 发光效率 量子阱层 固定的 硅掺杂 叠置 势垒 量子 | ||
1.一种高性能的绿光二极管多量子阱结构，其特征在于：其结构沿生长方向依次为：第一Si渐变掺杂的GaN垒层（51）和多组依次叠置的结构单元（52），单组结构单元（52）沿生长方向由一个In组分固定的InGaN量子阱层（521）和一个Si渐变掺杂的GaN垒层（522）组成，第一Si渐变掺杂的GaN垒层（51）中Si的掺杂浓度沿生长方向线性递减，单组结构单元（52）中的Si渐变掺杂的GaN垒层（522）中，Si的掺杂浓度沿生长方向线性递减。
2.根据权利要求1所述的一种高性能的绿光二极管多量子阱结构，其特征在于：所述第一Si渐变掺杂的GaN垒层（51）中Si的掺杂浓度沿生长方向，从1×1019 cm-3线性递减至1×1017 cm-3。
3.根据权利要求1所述的一种高性能的绿光二极管多量子阱结构，其特征在于：所述第一Si渐变掺杂的GaN垒层（51）的厚度为50nm。
4.根据权利要求1所述的一种高性能的绿光二极管多量子阱结构，其特征在于：所述结构单元（52）的数量为3-10组。
5.根据权利要求1所述的一种高性能的绿光二极管多量子阱结构，其特征在于：所述In组分固定的InGaN量子阱层（521）的厚度为4nm。
6.根据权利要求1-5任一所述的一种高性能的绿光二极管多量子阱结构，其特征在于：所述结构单元（52）中的Si渐变掺杂的GaN垒层（522）,Si的初始掺杂浓度沿生长方向，从5×1018 cm-3线性递减至1×1016 cm-3，Si的结束掺杂浓度沿生长方向，从1×1017 cm-3线性递减至1×1016 cm-3。
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