[实用新型]一种新型太阳能硅片的整形定位结构有效
| 申请号: | 201822228083.6 | 申请日: | 2018-12-27 |
| 公开(公告)号: | CN209249432U | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
| 发明(设计)人: | 成伟锋 | 申请(专利权)人: | 深圳市晶诚智能装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人: | 梁炎芳;谭雪婷 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市光明*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 通槽 整形板 整形 定位结构 定位中板 定位销 本实用新型 新型太阳能 定位底板 微型气缸 硅片 定位精度高 太阳能硅片 安装底板 结构稳定 平行设置 一侧边缘 长边 分隔 工位 立柱 | ||
本实用新型公开了一种新型太阳能硅片的整形定位结构,包括:立柱,第一微型气缸,第二微型气缸,以及从下而上依次相互平行设置的安装底板、定位底板、定位中板和整形板;整形板沿一长边方向开设有多个第一避位通槽,第一避位通槽将整形板分隔成多个工位,定位中板上开设有与第一避位通槽对应的第二避位通槽;定位底板上对应第一避位通槽的位置设置有若干第一定位销;整形板靠近第一定位销的一侧边缘开设有若干第三避位通槽,定位中板对应第三避位通槽的位置设置有第二定位销。本实用新型技术方案旨在实现整形定位结构的多规格,多数量、任意宽度的太阳能硅片同时整形定位,定位精度高,结构稳定。
技术领域
本实用新型涉及太阳能硅片生产设备技术领域,特别涉及一种新型太阳能硅片的整形定位结构。
背景技术
中国实用新型专利CN201820414042.3提出了一种太阳能硅片的整形定位结构旨在实现整形定位结构的多规格,多数量同时整形定位,定位精度高,结构稳定;但是由于定位销设置在定位底板上,放置在整形板上的太阳能硅片,需要部分悬空出来才能与定位板上的定位销接触到达到整形效果;这样就使得太阳能硅片必须达到一定宽度以上,不然容易掉落;因此该方案对太阳能硅片的宽度有一定要求,不能对一定宽度以下的太阳能硅片进行整形。
因此,有必要提出一种新的技术方案。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提出一种新型太阳能硅片的整形定位结构,旨在满足宽度很小的太阳能硅片的整形定位。
为实现上述目的,本实用新型提出的一种新型太阳能硅片的整形定位结构,包括:立柱,第一微型气缸,第二微型气缸,以及从下而上依次相互平行设置的安装底板、定位底板、定位中板和整形板;所述立柱的一端垂直设置在所述安装底板上,所述定位底板设置在所述立柱的另一端;所述整形板沿一长边方向开设有多个第一避位通槽,所述第一避位通槽将所述整形板分隔成多个工位,所述定位中板上开设有与所述第一避位通槽对应的第二避位通槽;所述第一微型气缸通过第一固定板固定在所述定位底板上,其输出端通过第一连接板与所述定位中板的一短边垂直连接;所述第二微型气缸通过第二固定板固定在所述定位中板上,其输出端通过第二连接板与所述整形板一长边垂直连接;所述定位底板上对应第一避位通槽的位置设置有若干第一定位销,若干所述第一定位销的一端穿过所述第一避位通槽和所述第二避位通槽至所述整形板上方;所述整形板靠近所述第一定位销的一侧边缘开设有若干第三避位通槽,所述定位中板对应所述第三避位通槽的位置设置有第二定位销,所述第二定位销一端穿过所述第三避位通槽至所述整形板上方。
优选地,所述定位底板上对应所述第一连接板的位置开设有第四避位通槽。
优选地,所述第二微型气缸位于所述定位底板的下方,所述定位底板和所述定位中板对应所述第二连接板的位置开设有相应的第五避位通槽和第六避位通槽。
优选地,还包括第一油压缓冲器、安装块和第二油压缓冲器;所述安装块设置在所述定位底板上,所述第一油压缓冲器固定在所述安装块上,其缓冲端靠近所述定位中板的侧边;所述第二油压缓冲器设置在第二固定板上,其缓冲端靠近所述第二连接板。
优选地,所述定位底板上开设有与其长边方向平行的第一槽轨,所述第一槽轨内设置有第一滑块,所述定位中板设置连接在所述第一滑块上;所述定位中板上开设有与所述第一槽轨垂直的第二槽轨,所述第二槽轨内设置有第二滑块,所述整形板与所述第二滑块连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





