[实用新型]基于全局噪声抵消方法的低噪声放大器有效
| 申请号： | 201822131546.7 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN209345109U | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 刘洋;王昭昊;杨建磊;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学青岛研究院 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/56;H03F3/195 |
| 代理公司： | 青岛中天汇智知识产权代理有限公司 37241 | 代理人： | 陈磊 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支路 低噪声放大器电路 噪声抵消 低噪声放大器 输出节点 共源极 共栅极 源器件 相加 抵消 信号输出节点 本实用新型 放大级电路 双支路结构 电阻反馈 反相关系 降低噪声 输入级 反相 漏极 源极 全局 噪声 对称 传输 输出 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于全局噪声抵消方法的低噪声放大器，具有双支路电路结构，其特征在于：两个支路结构相同、且完全对称；
每一支路，均由一个共栅极输入级和带有电阻反馈的共源极放大级电路构成；两个所述共栅极的源极作为信号输入端，两个所述带有电阻反馈的共源极放大级电路的漏极作为信号输出节点。
2.根据权利要求1所述的基于全局噪声抵消方法的低噪声放大器，其特征在于：在每一支路中，共栅极输入级的漏极连接所述带有电阻反馈的共源极放大级的栅极；
所述的带有电阻反馈的共源极放大级，由一个NMOS管，一个PMOS管和一个电阻连接而成；
NMOS管与PMOS管呈反相器结构连接，NMOS管与PMOS管的漏极均连接至输出节点；
所述的电阻，在NMOS管与PMOS管的漏极和栅极之间形成一个前向反馈。
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