[实用新型]用于快速存储器质量检测的开放式存储器晶圆烘烤设备

说明书

本实用新型提供了用于快速存储器质量检测的开放式存储器晶圆烘烤设备，所述烘烤设备包括：烘烤设备本体，所述烘烤设备本体的侧表面设有电源开关，所述电源开关的一侧设有调节组件；传热管，所述传热管用于将烘烤设备本体内部的热量传递给加热面板；烘烤设备本体的上方增设有加热面板，加热面板与烘烤设备本体通过传热管连接，烘烤设备本体在发热过程中传热管能够将热量导向到加热面板，加热面板对其上表面的存储器晶圆进行加热烘烤，利用半导体在高温情况下导电性能变强，来加速存储器晶圆的老化过程，达到在常温放止几个月甚至半年一年的效果，便于设备对存储器晶圆进行质量检测。

技术领域

本实用新型涉及储器晶圆(英文为DIE)烘烤设备技术领域，尤其涉及用于快速存储器质量检测的开放式存储器晶圆烘烤设备。

背景技术

目前的存储器的内部会采用半导体存储器，半导体存储器简称闪存，闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用此种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力；闪存与场效应管均为电压控制型器件，NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)，而NOR型闪存擦除数据仍是基于隧道效应(电流从浮置栅极到硅基层)，但在写入数据时则是采用热电子注入方式(电流从浮置栅极到源极)；

随着电子加工生产与技术进步，闪存制程从以前的90nm进步到14nm甚至更高，数据密度越来越高，结缘层的厚度越来越薄，部分存储器晶圆的绝缘层在实际生产过程中厚度过薄，会导致电流出现异常，最终导致数据出现错误，此部分不合格的元器件能够通过普通的检测设备进行检测，但是仍然有部分存储器晶圆在使用一段时间之后才会出现此现象，而目前的检测设备并不能对此部分存储器晶圆进行有效的检测，针对目前的存储器晶圆检测过程中所暴露的问题，有必要对存储器晶圆检测设备进行结构上的改进与优化。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决上述现有技术存在的问题之一，为此本实用新型的目的在于提供用于快速存储器质量检测的开放式存储器晶圆烘烤设备。

根据本实用新型实施例提供的用于快速存储器质量检测的开放式存储器晶圆烘烤设备，所述烘烤设备包括：

烘烤设备本体，所述烘烤设备本体的侧表面设有电源开关，所述电源开关的一侧设有调节组件；

传热管，所述传热管用于将烘烤设备本体内部的热量传递给加热面板；

加热面板，所述加热面板上表面放置有存储器晶圆，所述加热面板用于对存储器晶圆进行加热。

根据本实用新型提供的一个实施例，所述烘烤设备本体的上表通过连接杆连接有加热面板，连接杆设在烘烤设备本体的上表面外缘处，所述加热面板的下表面中心处设有传热管，传热管的底端贯穿烘烤设备本体的上表面到达烘烤设备本体的内部。

根据本实用新型提供的一个实施例，调节组件包括加数按钮、减数按钮，所述加数按钮设在烘烤设备本体的外侧表面，加数按钮的一端贯穿烘烤设备本体的外侧表面到达烘烤设备本体的内部，减数按钮设在加数按钮的一侧，减数按钮的一端贯穿烘烤设备本体的外侧表面。

根据本实用新型提供的一个实施例，调节组件还包括功能按钮，功能按钮的一端嵌合在烘烤设备本体的内部。

根据本实用新型提供的一个实施例，功能按钮与减数按钮之间设有移位按钮，且移位按钮放置在功能按钮与减数按钮的中部，移位按钮的一端贯穿烘烤设备本体的外侧表面。

根据本实用新型提供的一个实施例，所述功能按钮的上方位于烘烤设备本体的侧表面设有提示组件，提示组件包括加热指示灯与报警指示灯，报警指示灯设在加热指示灯的一侧，所述加热指示灯与报警指示灯的一端设在烘烤设备本体的外侧，加热指示灯与报警指示灯的另一端贯穿烘烤设备本体的侧壁到达烘烤设备本体的内部。