[实用新型]一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构有效
| 申请号： | 201822082080.6 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN209017001U | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 谢波玮;丁发柱;古宏伟;商红静;董泽斌;黄大兴;许文娟;苏广辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所;郑州科之诚机床工具有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H01L41/02;H01L41/08 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 程华 |
| 地址： | 100000 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电材料 声波 声表面波 微波器件 芯片结构 激励体 横波 芯片电路 本实用新型 第二电极 第一电极 芯片基体 填充 信号输出端 信号输入端 插入损耗 传输损耗 品质因数 微波 | ||
1.一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括：声表面波或横波激励体声波微波器件芯片电路和芯片基体；
所述芯片基体上设置有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽内填充有第一压电材料，所述第一压电材料上设置有第一电极，所述第一电极的一端和所述第一压电材料相连，所述第一电极的另一端和所述芯片电路的信号输入端相连；
所述第二凹槽内填充有第二压电材料，所述第二压电材料上设置有第二电极，所述第二电极的一端和所述第二压电材料相连，所述第二电极的另一端和所述芯片电路的信号输出端相连。
2.根据权利要求1所述的新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，其特征在于，所述芯片基体材料为金刚石材料或沉积金刚石薄膜的硅材料。
3.根据权利要求1所述的新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽均含有多个凹槽。
4.根据权利要求3所述的新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，其特征在于，各所述凹槽间的距离相同或不同。
5.根据权利要求4所述的新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，其特征在于，所述凹槽的形状、尺寸和/或深度能够改变。
6.根据权利要求1所述的新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的形状和/或尺寸能够调整。
7.根据权利要求1所述的新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均采用导电金属。
8.根据权利要求1所述的新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，其特征在于，所述芯片基体下设置有衬底，用于支撑所述芯片结构。
9.根据权利要求1所述的新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，其特征在于，所述第一电极为输入电极，采取点焊引线封装，所述第二电极为输出电极，采取点焊引线封装。
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