[实用新型]一种SOD323高密度、高强度框架有效
| 申请号： | 201821989093.5 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN208889651U | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 樊增勇;张明聪;陈永刚;李宁;任伟 | 申请（专利权）人： | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 刘童笛 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片安装单元 引脚 延伸区 横隔 高强度框架 芯片安装部 芯片单元 连筋 半导体制造技术 矩形阵列布置 本实用新型 材料利用率 设计单元 优化设计 隔筋 芯片 | ||
1.一种SOD323高密度、高强度框架，包括用于承装芯片的矩形的框架（1），所述框架（1）上设有若干芯片安装单元（201），所述芯片安装单元（201）在框架（1）上呈矩形阵列布置，每个芯片安装单元（201）上设有4个芯片安装部（2011），其特征在于，所述芯片安装部（2011）对应设有两个引脚连筋，并在芯片安装单元（201）上与引脚连筋对应设置引脚延伸区（2014），在相邻的芯片安装单元（201）排之间设芯片单元横隔筋（2012），在芯片单元横隔筋（2012）上与引脚延伸区（2014）对应设有隔筋凹槽（2013）。
2.根据权利要求1所述的SOD323高密度、高强度框架，其特征在于，所述隔筋凹槽（2013）的深度为0.23±0.1mm，所述芯片单元横隔筋（2012）宽度为0.59±0.1mm。
3.根据权利要求2所述的SOD323高密度、高强度框架，其特征在于，每排所述芯片安装单元（201）的宽度为3.3±0.1mm。
4.根据权利要求3所述的SOD323高密度、高强度框架，其特征在于，每两列芯片安装单元（201）作为一个切割单元（2），每个切割单元（2）之间的形成切割道（4），在每个切割单元（2）中芯片安装单元（201）列之间设有注塑流道（3），所述注塑流道（3）的宽度为2.1±0.1mm，所述切割道（4）宽度为1.8mm±0.1mm。
5.根据权利要求4所述的SOD323高密度、高强度框架，其特征在于，每列所述芯片安装单元（201）的长度为7.4±0.1mm。
6.根据权利要求5所述的SOD323高密度、高强度框架，其特征在于，所述框架（1）的尺寸为长252±0.05mm，宽为73±0.04mm，在所述框架（1）上布置有18排、28列芯片安装单元（201）。
7.根据权利要求1-6任一所述的SOD323高密度、高强度框架，其特征在于，在框架（1）中部设有横向的框架中筋（5），使得芯片安装单元（201）布置成上下分别9排的结构，所述框架中筋（5）的宽度为4±0.1mm。
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