[实用新型]具有T型栅极的III-V族半导体装置有效
| 申请号： | 201821988008.3 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN209199936U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 吴俊鹏;大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾苗粟*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 主动层 栅极足部 源极区 衬底层 缓冲层 漏极区 半导体装置 栅极区 埋入 配置 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有T型栅极的III-V族半导体装置，其特征在于，包括:
衬底层；
缓冲层，设置于所述衬底层上；
主动层，设置于所述缓冲层上，且所述主动层包括，
源极区，设置于所述主动层的一侧边上；
漏极区，设置于相对所述源极区的另一侧边；
栅极区，设置于所述源极区及所述漏极区之间，并由埋入所述主动层的栅极足部及配置在所述主动层上的栅极头部；其中，
所述栅极足部的剖面宽度等于或小于100nm。
2.如权利要求1所述的具有T型栅极的III-V族半导体装置，其特征在于，所述栅极足部四个边是由第一介电材料所包围。
3.如权利要求2所述之具有T-Gate的III-V族半导体装置，其特征在于，所述第一介电材料是氮化硅。
4.如权利要求2所述之具有T型栅极的III-V族半导体装置，其特征在于，所述第一介电材料是氧化硅。
5.如权利要求1所述之具有T型栅极的III-V族半导体装置，其特征在于，所述衬底层的材料为硅。
6.如权利要求1所述之具有T型栅极的III-V族半导体装置，其特征在于，所述缓冲层包括氮化铝镓层。
7.如权利要求1所述之具有T型栅极的III-V族半导体装置，其特征在于，所述主动层包括至少一层氮化镓层。
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