[实用新型]一种低压差线性稳压器的ESD保护系统有效
| 申请号： | 201821911569.3 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN209028498U | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 杜伟 | 申请（专利权）人： | 深圳讯达微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/569 | 分类号： | G05F1/569 |
| 代理公司： | 西安佩腾特知识产权代理事务所(普通合伙) 61226 | 代理人： | 张倩 |
| 地址： | 518003 广东省深圳市罗*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低压差线性稳压器 本实用新型 电压升高 烧坏 储能元件 泄放 元器件 电源 电流通过 电源电压 快速打开 输出电源 零时 升高 | ||
1.一种低压差线性稳压器的ESD保护系统，包括低压差线性稳压器LDO、I/O ESD保护模块、VIN ESD保护模块和VOUT ESD保护模块，其特征在于：
所述VOUT ESD保护模块还包括储能元件CP，储能元件CP用于在输出电源VOUT电压升高且GND为零时，快速打开NMOS管N1，电流通过NMOS管N1到达GND。
2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器的ESD保护系统，其特征在于：所述VOUTESD保护模块包括NMOS管N1、电阻R1、二极管D5和储能元件CP，NMOS管N1的D极、二极管D5的正极以及储能元件CP的一端与输出电源VOUT连接，储能元件CP的另一端、NMOS管N1的G极以及电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端接GND。
3.根据权利要求1或2所述的低压差线性稳压器的ESD保护系统，其特征在于：所述储能元件CP为电容。
4.根据权利要求1或2所述的低压差线性稳压器的ESD保护系统，其特征在于：所述储能元件CP是漏极和源极连接的PMOS管。
5.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器的ESD保护系统，其特征在于：VIN ESD保护模块还包括储能元件Cn，储能元件Cn用于在输入电源VIN的电压升高且输出电源VOUT为地时，快速打开PMOS管P0，电流通过PMOS管P0到达VOUT。
6.根据权利要求5所述的低压差线性稳压器的ESD保护系统，其特征在于：所述VIN ESD保护模块包括NMOS管N2、电阻R2和储能元件Cn，NMOS管N2的D极接输入电源VIN，NMOS管N2的S极接地，NMOS管N2的G极接电阻R2的一端，电阻R2的另一端接GND；储能元件Cn的一端与LDO控制模块的一端、PMOS管P0的G极连接，储能元件Cn的另一端接输出电源VOUT。
7.根据权利要求5或6所述的低压差线性稳压器的ESD保护系统，其特征在于：储能元件Cn是电容。
8.根据权利要求5或6所述的低压差线性稳压器的ESD保护系统，其特征在于：储能元件Cn是漏极和源极连接的NMOS管。
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