[实用新型]一种电池组充放电的控制电路有效

专利信息
申请号: 201821901100.1 申请日: 2018-11-19
公开(公告)号: CN208904709U 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 陈小生 申请(专利权)人: 惠州市德瑞达科技股份有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02J7/10
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 蔡晓红;柯夏荷
地址: 516000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电池组模块 电池组 电池组充放电 升压 控制电路 移动设备 导通 充电控制模块 电池使用寿命 快速充电效率 本实用新型 连接适配器 充电模块 电池充电 降压控制 降压模块 模块连接 移动电源 不均衡 三极管 适配器 并联 串联
【权利要求书】:

1.一种电池组充放电的控制电路,包括电池组模块(200),所述电池组模块(200)分别连接充电控制模块(100)和升压及降压控制模块(300),其特征在于,所述电池组模块(200),包括:

三极管(Q3),其基极与适配器电压输入端(VIN)连接;

第一PMOS管(Q1),所述第一PMOS管(Q1)源极与第一电池组(B1)的正极连接,所述第一PMOS管(Q1)漏极与第二电池组(B2)的正极连接,所述第一PMOS管(Q1)栅极与三极管(Q3)的集电极连接;

第二NMOS管(Q2),所述第二NMOS管(Q2)漏极与第一电池组(B1)的负极连接,所述第二NMOS管(Q2)源极与第二电池组(B2)的负极连接,所述第二NMOS管(Q2)栅极通过限流电阻与适配器电压输入端(VIN)连接;

第三NMOS管(Q1A),所述第三NMOS管(Q1A)源极与第一电池组(B1)的负极连接,所述第三NMOS管(Q1A)栅极与三极管(Q3)的集电极连接;

第四NMOS管(Q2A),所述第四NMOS管(Q2A)漏极与第三NMOS管(Q1A)的漏极连接,所述第四NMOS管(Q2A)源极与第二电池组(B2)的正极连接,所述第四NMOS管(Q2A)栅极与三极管(Q3)的集电极连接;

当所述电池组模块(200)通过充电控制模块(100)连接适配器时,所述第一PMOS管(Q1)和第二NMOS管(Q2)导通,第三NMOS管(Q1A)和第四NMOS管(Q2A)关闭,形成第一电池组(B1)和第二电池组(B2)自动并联的充电模式回路,用于对第一电池组(B1)和第二电池组(B2)进行充电;

当电池组模块(200)通过升压及降压控制模块(300)连接移动设备时,所述第一PMOS管(Q1)和第二NMOS管(Q2)关闭,第三NMOS管(Q1A)和第四NMOS管(Q2A)导通,形成第一电池组(B1)和第二电池组(B2)自动串联的放电模式回路,用于通过所述第一电池组(B1)和第二电池组(B2)的放电对移动设备进行充电。

2.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述电池组模块(200)还包括第一电阻(R1),第二电阻(R2),第三电阻(R3),第四电阻(R4)和第五电阻(R5),用于限流;第一二极管(D1)和第二二极管(D2),用于驱动第三NMOS管(Q1A)和第四NMOS管(Q2A);

所述电池组模块(200)线路连接,第一电池组(B1)的正极、第一PMOS管(Q1)源极以及第二电阻(R2)一端共接,第一电池组(B1)的负极、第二NMOS管(Q2)漏极以及第三NMOS管(Q1A)源极共接,第一PMOS管(Q1)漏极、第四NMOS管(Q2A)源极、第二电池组(B2)正极以及第一电阻(R1)一端共接,第二电阻(R2)另一端连接第二二极管(D2)阳极,第二NMOS管(Q2)源极连接第二电池组(B2)负极,第二NMOS管(Q2)栅极连接第三电阻(R3)一端,第三NMOS管(Q1A)漏极连接第四NMOS管(Q2A)漏极,第一电阻(R1)另一端连接第一二极管(D1)的阳极,第三NMOS管(Q1A)栅极、第四NMOS管(Q2A)栅极、第一PMOS管(Q1)栅极、第一二极管(D1)阴极、第二二极管(D2)阴极和三极管(Q3)集电极共接,第五电阻(R5)的一端、三极管(Q3)的基极和第四电阻(R4)的一端共接,第二NMOS管(Q2)的源极和第二电池组(B2)的负极共接于地;

当电池组模块(200)通过充电控制模块(100)连接适配器时,充电控制模块(100)输入端连接第一电池组(B1)正极,充电控制模块(100)输出端接地,第三电阻(R3)的另一端、第五电阻(R5)的另一端与适配器电压输入端(VIN)共接,三极管(Q3)的发射极和第四电阻(R4)的另一端共接于地;

当电池组模块(200)通过升压及降压控制模块(300)连接移动设备时,第一电池组(B1)的正极和第二电池组(B2)的负极分别连接升压及降压控制模块(300),第三电阻(R3)的另一端和第五电阻(R5)的另一端共接。

3.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述第一PMOS管(Q1)为P型MOS管,所述第三NMOS管(Q1A)和第四NMOS管(Q2A)为N型MOS管。

4.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述第一PMOS管(Q1)、第二NMOS管(Q2)、第三NMOS管(Q1A)和第四NMOS管(Q2A)选择栅极的阀值在±(0.3~0.8)V之间的低电压阀值管。

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