[实用新型]工艺腔室和半导体处理设备

说明书

本实用新型公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。该腔室包括腔室本体、工艺载台、驱动所述工艺载台进入所述腔室本体内的驱动机构以及检测所述工艺载台是否到位的第一到位传感器，所述工艺腔室还包括测距仪，所述测距仪位于所述工艺载台前进方向的一侧，所述测距仪能够在预定条件下测量所述工艺载台与所述测距仪之间的距离，以确定所述工艺载台的工艺位置是否正确；所述预定条件包括所述第一到位传感器发出到位信号且所述驱动机构的脉冲计数满足预设脉冲计数。本实用新型的工艺腔室，同时设置有第一到位传感器和测距仪，可以有效确定工艺载台的工艺位置是否正确，提高工艺载台的工艺位置准确度，进而可以提高基片的加工良率。

技术领域

本实用新型涉及微电子加工技术领域，具体涉及一种工艺腔室和一种半导体处理设备。

背景技术

在半导体、太阳能电池、LED、平板显示器以及光纤等领域快速发展的今天，金属有机化合物化学气相淀积(Metal-organicChemical Vapor Deposition，MOCVD)工艺使用范围越来越广泛。基片在工艺腔室内的镀膜质量，直接影响到后续产品的成品率，而影响镀膜工艺最关键的工艺包括基片加热温度的控制、气体均匀性的控制以及气体和基片发生反应的控制等等，而气体均匀性的控制则需要保证基片的工艺位置准确。

传统地，如图1所示，工艺腔室包括腔室本体1、工艺载台2、伺服电机(图中并未示出)、滚轮3、对射光电传感器4、工艺气体喷头5以及加热器(图中并未示出)等，伺服电机控制的滚轮3把载有基片的工艺载台2传输到腔室本体1内，当工艺载台2到达对射光电传感器4时，系统开始记下伺服电机的脉冲数，当脉冲数到达设定的脉冲数时，伺服电机停止。腔室抽真空，到达设定压力后，加热器对工艺载台2上的基片进行加热操作，当基片到达预定温度时，基片上方的工艺气体喷头5(该工艺气体喷头5喷出气体的范围，正好和基片大小一样)开始喷出工艺气体，和基片进行化学反应。

但是，当工艺载台2多次进入腔室本体1内做工艺后，工艺载台2的上下表面会被镀一层薄膜，使工艺载台2和滚轮3之间的摩擦力下降，经常出现在腔室本体1内打滑的情况，打滑后工艺载台2在腔室本体1内位置出现偏差，如图2所示。如果这时在做加热和喷工艺气体在基片上后，就会使气体不能完全喷在基片上，而使一部分工艺气体喷到工艺载台2上，基片有一部分喷不上工艺气体，使基片不能和气体反应，部分基片无法做后续的工艺而报废掉。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种工艺腔室和一种半导体处理设备。

为了实现上述目的，本实用新型的第一方面，提供了一种工艺腔室，包括腔室本体、工艺载台、驱动所述工艺载台进入所述腔室本体内的驱动机构以及检测所述工艺载台是否到位的第一到位传感器，所述工艺腔室还包括测距仪，所述测距仪位于所述工艺载台前进方向的一侧，所述测距仪能够在预定条件下测量所述工艺载台与所述测距仪之间的距离，以确定所述工艺载台的工艺位置是否正确；其中，

所述预定条件包括所述第一到位传感器发出到位信号且所述驱动机构的脉冲计数满足预设脉冲计数。

可选地，所述测距仪为激光测距仪。

可选地，所述测距仪设置在所述腔室本体的内侧壁上；或者，所述测距仪设置在所述腔室本体的外侧壁上，并且，所述腔室本体在对应所述测距仪的位置处透明。

可选地，所述第一到位传感器为对射光电传感器，所述对射光电传感器的发射端和接收端分别设置在所述工艺载台垂直于其前进方向的两侧。

可选地，所述对射光电传感器的发射端和接收端均设置在所述腔室本体的内侧壁上；或，

所述对射光电传感器的发射端和接收端均设置在所述腔室本体的外侧壁上，且所述腔室本体对应所述发射端和接收端的位置透明。