[实用新型]阵列基板及包括该阵列基板的显示装置

说明书

本实用新型公开一种阵列基板，包括衬底以及形成在所述衬底上的低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管，其中所述氧化物薄膜晶体管为顶栅结构，包括第一有源层、第一栅极、第一源漏极和第一过孔，所述第一有源层对应所述第一过孔的区域覆盖有导电保护部，第一源漏极通过第一过孔与所述导电保护部连接，本实用新型可对氧化物薄膜晶体管的有源层进行保护，并避免短沟道效应，同时简化阵列基板的制作工艺，降低成本。

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种阵列基板及包括该阵列基板的显示装置。

背景技术

LTPO(LTPS+Oxide，即低温多晶硅与氧化物半导体的组合)技术结合了低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管这两种晶体管各自的优势，在Mobile AMOLED产品的高PPI、低功耗、高画质等方面具备一定的技术优势。

实用新型内容

本实用新型的一个目的在于提供一种阵列基板，避免氧化物薄膜晶体管的有源层在制造工艺过程中被氢氟酸腐蚀，并降低工艺复杂度。本实用新型的另一个目的在于提供一种显示装置。

为达到上述目的，本实用新型采用下述技术方案：

本实用新型公开了一种阵列基板，包括衬底以及形成在所述衬底上的低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管，其中所述氧化物薄膜晶体管为顶栅结构，包括第一有源层、第一栅极、第一源漏极和第一过孔，

所述第一有源层对应所述第一过孔的区域覆盖有导电保护部，第一源漏极通过第一过孔与所述导电保护部连接。

优选地，所述导电保护部在所述衬底上的正投影覆盖所述第一过孔在所述衬底上的正投影。

优选地，所述导电保护部与所述第一栅极同层设置。

优选地，所述氧化物薄膜晶体管的第一有源层与第一栅极间形成有第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层的宽度大于所述第一栅极的宽度。

优选地，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第二有源层、第二过孔、通过第二过孔与所述第二有源层连接的第二源漏极以及形成于所述第二有源层上方的第二栅极和第三栅极。

优选地，所述第三栅极与所述氧化物薄膜晶体管的所述导电保护部和所述第一栅极同层设置。

优选地，所述第三栅极与所述氧化物薄膜晶体管的所述导电保护部和所述第一栅极的材料相同。

优选地，所述氧化物薄膜晶体管的第一有源层的材料为氧化铟锡锌、氧化铟镓、氧化铟镓锌、氧化铟钨、氧化锌、氧化锡、氧化镓锌、氧化锌锡中的一种或多种的组合。

本实用新型还公开了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型通过在氧化物薄膜晶体管的有源层上对应第一过孔的区域设置导电保护部，利用导电保护部对有源层进行有效保护，可实现一次构图工艺制作过孔后氢氟酸清洗的正常进行，避免了氢氟酸对氧化物薄膜晶体管的有源层的影响，同时简化了制作流程，进而降低生产成本，同时，氧化物薄膜晶体管采用顶栅结构，导电保护部可与氧化物薄膜晶体管的第一栅极同层设置，可通过一次构图工艺形成以减少工艺步骤。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1示出现有技术中阵列基板的示意图。

图2示出本实用新型阵列基板一个具体实施例的示意图。

图3示出本实用新型阵列基板一个具体实施例的制作方法的流程图。

图4-13示出本实用新型阵列基板的制作过程的剖面示意图。

附图说明：