[实用新型]一种太阳能电池有效
| 申请号: | 201821570044.8 | 申请日: | 2018-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN209626235U | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
| 发明(设计)人: | 李新连;陈涛;杨立红 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京清源汇知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11644 | 代理人: | 申婕;冯德魁 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 边距 基底 第一层 太阳能电池 激光 本实用新型 电池端部 短路问题 机械刮刀 搭接 喷砂 清边 | ||
本实用新型公开了一种太阳能电池,包括:基底;第一层,其设置于所述基底上方;第二层,其设置于所述第一层上方;所述第一层的端部到所述基底的端部之间的第一边距;所述第二层的端部到所述基底的端部之间的第二边距;其中,所述第二边距的宽度小于所述第一边距的宽度。通过设计特殊的边距结构,采用非喷砂的激光,或激光加机械刮刀的方式,实现电池端部的清边,避免了端部搭接短路问题,同时具有较高的精度。
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术,具体涉及一种太阳能电池。
背景技术
CIGS薄膜太阳能电池具有光吸收能力强、制造成本低、可柔性化、发电稳定以及环境友好等优点,是未来最有可能取代硅电池的材料之一。目前实验室最高转换效率已经超过22%,一般地,典型的CIGS薄膜电池具有如下的结构和制备过程:以普通纳钙玻璃或者柔性材料作为基底,用磁控溅射法在基底上沉积一层Mo薄膜作为背电极层,采用共蒸法或者溅射后硒化法制备CIGS吸收层,用化学水浴法制备CdS缓冲层,然后用磁控溅射法依次沉积i-Zno和透明导电层(如AZO层),最终形成p-n结结构,实现太阳能发电功能。
在完成所有膜层的镀制以及划线工艺后,需要对电池进行清边处理。电池清边是选择性地去除电池边缘的全部或部分功能层,保证电池边缘绝缘。
其中,对电池端部,即平行于电流流动方向的玻璃端边,需要进行清边去除玻璃表面所有膜层。通常采用激光方式清除膜层。同时,由于激光能量大,清边过程热量较高导致膜层熔融,导致上方的透明导电层和背电极层搭接短路。针对该问题,目前的清边技术有采用喷砂的方法进行清边,因喷砂过程不会导致膜层过热,无搭接问题,但喷砂的精度较低,对电池有效面积损失较大;同时喷砂容易损伤玻璃,且喷砂过程会产生大量粉尘。
实用新型内容
本申请提供一种太阳能电池,以解决现有由于激光能量大,清边过程热量较高导致膜层熔融,导致上方的透明导电层和背电极层搭接短路的问题。
本申请提供一种太阳能电池,包括:
基底;
第一层,其设置于所述基底上方;
第二层,其设置于所述第一层上方;
所述第一层的端部到所述基底的端部之间的第一边距;
所述第二层的端部到所述基底的端部之间的第二边距;
其中,所述第二边距的宽度小于所述第一边距的宽度。
可选的,所述第一层为背电极层;所述第二层包括:
光吸收层,其设置在所述背电极层上方;
缓冲层,其设置在所述光吸收层上方;
高阻层,其设置在所述缓冲层上方;
透明导电层,其设置在所述高阻层上方。
可选的,所述背电极层包含金属钼;
所述光吸收层为CIGS薄膜,包含铜、铟、镓和硒;
所述缓冲层为硫化镉薄膜,包含硫化镉;
所述高阻层为铝掺氧化锌或氧化铟锡薄膜,包含铝和氧化锌,或铝和氧化铟锡;
透明导电层为铝掺杂氧化锌等薄膜,包含铝和氧化锌。
较佳地,电极层的厚度为200-500nm。
较佳地,所述第一边距、第二边距的宽度均为5-20mm;
较佳地,所述第二边距的宽度小于所述第一边距的宽度至少10μm。
与现有技术相比,本申请具有以下优点:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





