[实用新型]三维存储器有效
| 申请号： | 201821530871.4 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN208674119U | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 向银松;刘隆冬;任连娟 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11578;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维存储器 沟道 堆叠结构 牺牲层 绝缘层 衬底表面方向 本实用新型 相邻绝缘层 衬底表面 交替堆叠 栅介质层 回刻蚀 孔侧壁 孔结构 衬底 填充 垂直 贯穿 | ||
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：
存储堆叠结构，所述存储堆叠结构包括交替堆叠的控制栅极和绝缘层；
沟道孔结构，贯穿所述存储堆叠结构；
所述控制栅极的宽度小于绝缘层的宽度，使得相邻绝缘层之间具有位于所述控制栅极端部与沟道孔结构之间的凹槽；
栅介质层，至少填充于所述凹槽内。
2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述栅介质层仅填充于所述凹槽内，覆盖所述控制栅极的端部侧壁。
3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述栅介质层填充满所述凹槽，且覆盖围绕沟道孔结构的绝缘层的侧壁。
4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述栅介质层的材料为高K介电材料。
5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述沟道孔结构形成于沟道孔内，包括：覆盖所述沟道孔侧壁及栅介质层的电荷阻挡层；覆盖所述电荷阻挡层表面的电荷捕获层、覆盖所述电荷捕获层的隧穿层以及覆盖所述隧穿层的沟道层；位于所述沟道层表面且填充满所述沟道孔的沟道介质层。
6.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述控制栅极包括栅极、以及位于所述栅极与绝缘层、栅极与栅介质层之间的扩散阻挡层。
7.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述存储堆叠结构包括核心区域和围绕所述核心区域的台阶区域，所述台阶区域暴露出每一层控制栅极的端部；所述台阶区域上覆盖有介质层。
8.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，还包括贯穿所述介质层至各层控制栅极端部表面的接触部。
9.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，还包括贯穿所述存储堆叠结构的阵列共源极。
10.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器为3D NAND存储器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821530871.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
