[实用新型]一种浅沟槽隔离结构有效
| 申请号： | 201821522868.8 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN208923085U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 陶大伟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 填充 隔离沟槽 浅沟槽隔离结构 衬底 本实用新型 空气介电常数 封口 浅沟槽隔离 隔离性能 寄生电容 侧壁 界定 源区 引入 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：
衬底；
隔离沟槽，形成于所述衬底中，以在所述衬底中界定出多个有源区
第一填充介质，形成于所述隔离沟槽的侧壁；
第二填充介质，形成于所述隔离沟槽中部；
孔隙，位于所述第一填充介质与所述第二填充介质之间；
第三填充介质，形成于所述孔隙顶部，以将所述孔隙封口。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述孔隙的宽度范围是30埃-200埃，高度范围是500埃-2800埃。
3.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上定义有字线区域；
第一隔离沟槽，形成于所述衬底中；
第一填充介质，形成于所述第一隔离沟槽中；
第二隔离沟槽，形成于所述衬底中，所述第二隔离沟槽相交于所述第一隔离沟槽，且避开所述字线区域，所述第一隔离沟槽与所述第二隔离沟槽共同在所述衬底中界定出多个有源区；
第二填充介质，形成于所述第二隔离沟槽的侧壁；
第三填充介质，形成于所述第二隔离沟槽中部；
孔隙，位于所述第二填充介质与所述第三填充介质之间；
第四填充介质，形成于所述孔隙顶部，以将所述孔隙封口。
4.根据权利要求3所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述第二隔离沟槽平行于所述字线区域。
5.根据权利要求3所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述孔隙的宽度范围是30埃-200埃，高度范围是500埃-2800埃。
6.根据权利要求3所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述第二隔离沟槽的底面与所述第一隔离沟槽的底面齐平，或者所述第二隔离沟槽的底面相对较浅于所述第一隔离沟槽的底面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
