[实用新型]磁存储装置

说明书

实施方式提供一种能够进行稳定的读取动作的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备：磁性存储细线(MML)，该磁性存储细线是线性磁性体，且具有磁化方向可变的第1磁区及第2磁区；磁阻效应元件(11)，具有与第1磁区的磁化方向对应的第1电阻、或与第2磁区的磁化方向对应的第2电阻的任一者；以及读取电路(40)，将磁阻效应元件(11)具有的第1电阻、与磁阻效应元件(11)具有的第2电阻加以比较。读取电路(40)在第1电阻与第2电阻不变时，输出第1数据，在第1电阻与第2电阻不同时，输出第2数据。

[相关实用新型]

本实用新型享有以日本专利申请2018-51178号(申请日：2018年3月19日)作为基础实用新型的优先权。本实用新型通过参考该基础实用新型而包含基础实用新型的全部内容。

技术领域

实施方式涉及一种磁存储装置。

背景技术

作为磁存储装置，已知使用具有多个磁区的磁性细线的磁存储装置。

实用新型内容

实施方式提供一种能够进行稳定的读取动作的磁存储装置。

实施方式的磁存储装置具备：磁性线，该磁性线是线性磁性体，且具有磁化方向可变的第1磁区及第2磁区；磁阻元件，具有与所述第1磁区的磁化方向对应的第1电阻、或与所述第2磁区的磁化方向对应的第2电阻的任一者；以及读取电路，将所述磁阻元件具有的所述第1电阻、与所述磁阻元件具有的所述第2电阻加以比较；且所述读取电路在所述第1电阻与所述第2电阻不变时，输出第1数据，在所述第1电阻与所述第2 电阻不同时，输出第2数据。

也可为：所述读取电路在所述第1电阻与所述第2电阻的差为第1值以下时，输出所述第1数据，在所述第1电阻与所述第2电阻的差大于第1值时，输出所述第2数据。

也可为：所述磁阻元件具有由第1磁性层、第2磁性层、以及所述第1磁性层与所述第2磁性层间的非磁性层所形成的MTJ(magnetic tunnel junction，磁性隧道结)构造，且所述第2磁性层通过来自所述磁性线的所述第1磁区的磁感应而具有与所述第1磁区相同的磁化方向。

也可为：所述磁阻元件在所述第2磁性层的磁化方向与所述第1磁性层的磁化方向平行时，具有低电阻状态，在所述第2磁性层的磁化方向与所述第1磁性层的磁化方向反平行时，具有比低电阻状态高的高电阻状态。

也可为：所述磁阻元件具有第1磁性层与非磁性层，所述磁阻元件具有由所述磁性线的所述第1磁区、所述第1磁性层、以及所述第1磁区与所述第1磁性层间的所述非磁性层所形成的MTJ(magnetic tunnel junction)构造。

也可为：所述磁阻元件在所述第1磁区的磁化方向与所述第1磁性层的磁化方向平行时，具有低电阻状态，在所述第1磁区的磁化方向与所述第1磁性层的磁化方向反平行时，具有比低电阻状态高的高电阻状态。

也可为：所述读取电路具备移位驱动器，使所述磁性线具有的所述第1磁区及第2磁区移位，所述磁性线的所述第1磁区配置在所述磁性线内的第1位置，在所述读取电路读出与所述第1磁区的磁化方向对应的所述第1电阻之后，所述移位驱动器使所述第 2磁区移位至所述第1位置。

也可为：所述读取电路具有：第1电路，读出所述磁阻元件的所述第1电阻及所述第2电阻；以及读出放大器，将由所述第1电路读出的所述第1电阻与所述第2电阻加以比较；且所述第1电路包含：第2电路，对所述磁阻元件供给或停止供给读取电流；电容器，蓄积与所述第1电阻或所述第2电阻的任一者对应的信号；以及第3电路，设定将所述信号蓄积到所述电容器的时序。