[实用新型]成像像素及包括多个成像像素的图像传感器有效
| 申请号: | 201821278119.5 | 申请日: | 2018-08-09 |
| 公开(公告)号: | CN208608198U | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
| 发明(设计)人: | 李秉熙 | 申请(专利权)人: | 半导体组件工业公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
| 地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 成像像素 衍射透镜 图像传感器 光敏区域 微透镜 调谐 本实用新型 抗反射涂层 周围材料 光聚焦 入射光 折射率 插置 可用 散焦 聚焦 响应 覆盖 | ||
1.一种包括多个成像像素的图像传感器,其特征在于所述多个成像像素中的每个成像像素包括:
光电二极管;
形成在所述光电二极管上方的微透镜;以及
插置在所述光电二极管与所述微透镜之间的衍射透镜。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于每个成像像素的所述衍射透镜具有平面的上表面和平面的下表面。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于还包括:
抗反射涂层,所述抗反射涂层形成在所述多个成像像素上方且在所述成像像素的所述光电二极管与所述成像像素的所述衍射透镜之间。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其特征在于每个成像像素还包括:
滤色器元件,所述滤色器元件插置在所述相应衍射透镜与所述相应微透镜之间,其中每个成像像素的所述衍射透镜由所述抗反射涂层的一部分形成。
5.根据权利要求3所述的图像传感器,其特征在于所述抗反射涂层包括具有第一厚度的第一部分以及具有大于所述第一厚度的第二厚度的第二部分,并且其中所述抗反射涂层的所述第二部分形成所述多个成像像素的所述衍射透镜。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于每个成像像素的所述衍射透镜具有第一折射率,其中每个成像像素的所述衍射透镜被具有小于所述第一折射率的第二折射率的相应材料层围绕,并且其中每个成像像素的所述相应材料层形成所述成像像素的相应滤色器元件的一部分。
7.一种成像像素,其特征在于,所述成像像素包括:
光敏区域;
形成在所述光敏区域上方的滤色器元件;
形成在所述滤色器元件上方的微透镜;以及
形成在所述滤色器元件与所述光敏区域之间的衍射透镜,其中所述衍射透镜为透明的,其中所述衍射透镜具有相对的第一表面和第二表面,并且其中所述衍射透镜的所述第一表面和所述第二表面为平面的。
8.根据权利要求7所述的成像像素,其特征在于入射在所述衍射透镜的中心部分上的光穿过所述衍射透镜而不重定向,并且其中入射在所述衍射透镜的边缘部分上的光由所述衍射透镜朝所述光敏区域重定向。
9.一种包括多个成像像素的图像传感器,其特征在于所述多个成像像素中的每个成像像素包括:
光敏区域;
微透镜;以及
平面衍射透镜,所述平面衍射透镜形成在所述光敏区域与所述微透镜之间,其中所述平面衍射透镜将入射光聚焦到所述光敏区域上。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其特征在于每个成像像素的所述平面衍射透镜被至少一个层围绕,并且其中每个成像像素的所述平面衍射透镜具有大于所述至少一个层的折射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





