[实用新型]一种高EAS的VDMOS器件有效
| 申请号： | 201821173408.9 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN208368515U | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 唐红祥 | 申请（专利权）人： | 无锡光磊电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 张欢勇 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺硼 外延层 掺磷 二氧化硅层 凹陷 本实用新型 衬底 雪崩能量 左右两侧 多晶层 后半段 金属层 上凹槽 击穿 两段 凸起 源层 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种高EAS的VDMOS器件，包括重掺衬底，形成于所述重掺衬底上的轻掺磷外延层，所述轻掺磷外延层为左右两侧凹陷的横截面为“凸”型的结构，所述轻掺磷外延层凹陷的部分上设有轻掺硼层，所述轻掺硼层上设有凹槽，其特征在于，所述轻掺硼层前后两段上凹槽内均设有源层和重掺硼层，所述轻掺硼层中间部分的前半段凹槽上设有重掺硼层，所述轻掺磷外延层凸起部分上设有二氧化硅层，所述二氧化硅层内设有多晶层，所述二氧化硅层外设有覆盖轻掺硼层两侧凹陷的金属层。
2.根据权利要求1所述的高EAS的VDMOS器件，其特征在于所述金属层采用铝或铝硅或铝硅铜。
3.根据权利要求1所述的高EAS的VDMOS器件，其特征在于所述源层和重掺硼层均为环形结构。
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