[实用新型]一种LDMOS器件结构有效
| 申请号： | 201821139718.9 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN208861995U | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李科;万宁;丛密芳;任建伟;李永强;黄苒;苏畅;李浩;杜寰 | 申请（专利权）人： | 北京顿思集成电路设计有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生辉 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技术*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漂移区 第一导电类型 沟道区 外延层 导电类型 衬底 阱区 沟槽填充区域 栅极绝缘层 表面延伸 沟槽填充 表面处 氧化物 漏区 源区 覆盖 | ||
1.一种LDMOS器件结构，包括：
第一导电类型的衬底，
形成在所述衬底上的第一导电类型的外延层；
形成在所述外延层中的第二导电类型的漂移区；
第一导电类型的阱区，自所述外延层的表面延伸到所述衬底中；
第一导电类型的沟道区，形成在所述漂移区中并位于所述漂移区与所述阱区之间；
第二导电类型的源区，位于所述阱区和所述沟道区中；以及
第二导电类型的漏区，位于所述漂移区中，
位于所述沟道区上方的栅极，其间形成有栅极绝缘层；
其特征在于，
其中，自所述外延层的靠近表面处还形成有沟槽，所述沟槽部分地覆盖所述漂移区及所述沟道区，所述沟槽填充有氧化物构成的沟槽填充区域。
2.如权利要求1所述的LDMOS器件结构，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；或者所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
3.如权利要求1所述的LDMOS器件结构，其特征在于，所述沟槽的深度为
4.如权利要求1所述的LDMOS器件结构，其特征在于，所述LDMOS器件结构还包括栅极侧墙，位于所述栅极两侧。
5.如权利要求1所述的LDMOS器件结构，其特征在于，所述栅极包括形成在所述栅极绝缘层上的多晶硅层和形成在所述多晶硅层上的金属硅化物层。
6.如权利要求1所述的LDMOS器件结构，其特征在于，所述LDMOS器件结构还包括：
覆盖所述漂移区表面及所述栅极表面的介质层；
位于所述绝缘层中部分地覆盖所述栅极及所述漂移区的屏蔽环。
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