[实用新型]一种微缩化LED矩阵有效
| 申请号： | 201821089141.5 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN208384933U | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张玮;李明艳 | 申请（专利权）人： | 上海索晔国际贸易有限公司 |
| 主分类号： | G09F9/33 | 分类号： | G09F9/33 |
| 代理公司： | 深圳市凯达知识产权事务所 44256 | 代理人： | 朱为甫 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 异向导电层 微缩化 倒装LED芯片 透光保护层 导电线路 本实用新型 光电半导体 微型LED 覆盖带 倒装 成型 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种微缩化LED矩阵，其特征在于，包括透光保护层、至少3颗倒装微型LED芯片、异向导电层、以及导电线路；导电线路上覆盖带异向导电层，异向导电层上固定多颗微型倒装LED芯片，微型倒装LED芯片上方成型透光保护层，构成微缩化LED矩阵。
2.如权利要求1所述的微缩化LED矩阵，其特征在于，所述微型倒装LED芯片为电极朝下的倒装结构，所述微型倒装LED芯片的尺寸为15～300um。
3.如权利要求1所述的微缩化LED矩阵，其特征在于，所述异向导电层只在垂直方向上有导电性，所述异向导电层的厚度在5～50um，所述异向导电层含有导电粒子，导电粒子的尺寸在2.5um～25um。
4.如权利要求1所述的微缩化LED矩阵，其特征在于，所述导电线路通过所述异向导电层与所述微型LED芯片实现电导通，所述导电线路实现对所述微型LED芯片的明暗控制；所述导电线路的线宽在2.5um～250um。
5.如权利要求书1所述的微缩化LED矩阵，其特征在于，所述微型LED芯片上方有透光保护层，透光保护层的厚度在5～500um。
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