[实用新型]基板处理装置有效
| 申请号: | 201821008823.9 | 申请日: | 2018-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN208767260U | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
| 发明(设计)人: | 申寅澈 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 朱健;张国香 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基板处理装置 工艺流体 基板处理 本实用新型 供给线路 腔室 纯度测量 收容基板 异物 测量 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,其包括:
供给线路,其用于向收容基板的腔室供给工艺流体;
纯度测量部,其连接于所述供给线路,并测量所述工艺流体的纯度;
分析线路,其从所述供给线路分支出来,并且所述工艺流体的一部分在分析线路上流动,
压力调整部和所述纯度测量部设置于所述分析线路,
所述纯度测量部对通过所述压力调整部得到减压的所述工艺流体的异物含量进行测量;
控制部,其连接于所述纯度测量部,将设定的异物限制设定量和所述纯度测量部测量出的所述异物含量相比较来判断是否中断所述工艺流体的供给;
所述供给线路上还设置有供给调整部,供给调整部控制所述工艺流体的供给,
基板处理装置包括控制部,控制部与所述供给调整部连接,对所述工艺流体的供给进行控制。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述分析线路从供给线路分支的分支点设置于超临界流体气化器和超临界流体存储槽之间。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述分析线路从供给线路分支的分支点设置于药液和超临界流体的混合装置和腔室之间。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述分析线路从供给线路分支的分支点设置于超临界流体存储槽和腔室之间。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,
多个所述分析线路设置于所述供给线路的不同位置,
设置于所述多个分析线路的多个纯度测量部连接于所述控制部,
所述基板处理装置包括所述控制部,所述控制部对所述多个纯度测量部所测量出的异物含量进行比较,从而判断是否中断所述工艺流体的供给。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述供给线路设置有在第一分支点分支的第一分析线路和在第二分支点分支的第二分析线路,
所述第一分支点设置于超临界流体气化器和超临界流体存储槽之间,
所述第二分支点设置于药液和超临界流体的混合装置与腔室之间。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述供给线路设置有在第一分支点分支的第一分析线路和在第二分支点分支的第二分析线路,
所述第一分支点设置于超临界流体气化器和超临界流体存储槽之间,
所述第二分支点设置于所述超临界流体存储槽与腔室之间。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,还包括:
显示部,其连接于所述纯度测量部,显示出所述纯度测量部所测量出的所述异物含量或以所述异物含量为基准计算出的是否中断工艺流体的供给。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其包括:
压力调节部,其使得所述工艺流体的压力减压到5bar以下。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述异物限制设定量设定为1bpb以下。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述纯度测量部为有机物分析装置。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于,
所述纯度测量部为Shift-MS。
13.根据权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于,
所述纯度测量部为气相色谱仪。
14.根据权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于,
所述纯度测量部为气相色谱质量分析仪。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





