[实用新型]一种半导体激光器及其检测系统

说明书

本实用新型实施方式公开了一种半导体激光器及其检测系统，所述半导体激光器包括激光器外壳及激光器本体，所述激光器本体封装于所述激光器外壳内，所述激光器本体包括：半导体激光芯片，所述半导体激光芯片用于受激产生激光；以及，检测单元，所述检测单元包括采样电路和单片机，所述采样电路与所述半导体激光芯片连接，用于采集流经所述半导体激光芯片的电流和电压，所述单片机的电源端与所述半导体激光芯片连接，所述单片机的输入端与所述采样电路的输出端连接，用于记录所述采样电路采集的所述流经所述半导体激光芯片的电流和电压。通过上述方式，本实用新型实施方式能够获知半导体激光器工作时流经半导体激光芯片的电流和电压。

技术领域

本实用新型实施方式涉及半导体激光器领域，特别是涉及一种半导体激光器及其检测系统。

背景技术

半导体激光器是一种以半导体材料作为工作物质而产生激光的器件。通过一定的激励方式在半导体物质的能带之间，或者，半导体物质的能带与杂质能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用，出射激光。

在半导体激光器中，通常由半导体激光芯片产生激光，该半导体激光芯片密封封装于半导体激光器中，故需要通过半导体激光器连接外部驱动电路来向半导体激光芯片提供电流和电压，以激励半导体激光芯片产生激光。

但发明人在实现本实用新型的过程中发现：目前的半导体激光器只密封封装有半导体激光芯片，用户使用该半导体激光器时，只能获得激光，而无法获知半导体激光器工作时流经半导体激光芯片的电流和电压，容易导致施加的电流和电压超过半导体激光器的额定电流和额定电压的情况出现，损坏半导体激光器；同时，容易导致产商无法获知半导体激光器的损坏是否与电流电压过冲有关。

实用新型内容

本实用新型实施方式主要解决的技术问题是提供一种半导体激光器及其检测系统，通过该半导体激光器，用户能够获知半导体激光器工作时流经半导体激光芯片的电流和电压。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种半导体激光器，包括激光器外壳及激光器本体，所述激光器本体封装于所述激光器外壳内，所述激光器本体包括：

半导体激光芯片，所述半导体激光芯片用于受激产生激光；以及，

检测单元，所述检测单元包括采样电路和单片机，

所述采样电路与所述半导体激光芯片连接，用于采集流经所述半导体激光芯片的电流和电压，

所述单片机的电源端与所述半导体激光芯片连接，所述单片机的输入端与所述采样电路的输出端连接，用于记录所述采样电路采集的所述流经所述半导体激光芯片的电流和电压。

可选地，所述采样电路包括：

第一采样电路，所述第一采样电路与所述半导体激光芯片并联；

第二采样电路，所述第二采样电路与所述半导体激光芯片串联。

可选地，所述第一采样电路包括：

第一采样电阻和第二采样电阻；

所述第一采样电阻与所述第二采样电阻串联，并且所述串联后的第一采样电阻以及第二采样电阻与所述半导体激光芯片并联。

可选地，所述单片机包括第一输入端；

所述第一输入端连接至所述第一采样电阻以及所述第二采样电阻之间。

可选地，所述第二采样电路包括：

第三采样电阻；

所述第三采样电阻一端与所述半导体激光芯片以及所述第一采样电路连接。

可选地，所述单片机包括第二输入端；