[实用新型]存储晶体管的字线结构以及存储晶体管

权利要求书

1.一种存储晶体管的字线结构，其特征在于，包括字线，形成于半导体衬底开设的字线沟槽中，所述字线沟槽的底部和侧壁上形成有栅介质层；

所述字线包括第一字线部和第二字线部，所述第一字线部形成于所述栅介质层所包围的沟槽空间内，所述第一字线部的上端面内沉于所述半导体衬底的上表面，所述第二字线部形成于所述第一字线部的上端面，且与所述第一字线部电连接，其中，所述第二字线部的上端面内沉于所述半导体衬底的上表面，所述第二字线部的外侧壁与所述栅介质层之间以及所述第二字线部的上端面上分别覆盖有隔离绝缘层，所述隔离绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层形成于所述字线沟槽的内壁上，所述第二绝缘层形成于所述字线沟槽中，所述第二字线部的侧面距离至所述栅介质层的间隔由所述第一绝缘层在所述字线沟槽的内壁的保留厚度所界定和调整。

2.如权利要求1所述的存储晶体管的字线结构，其特征在于，所述第一字线部包括：

导电层，形成于所述栅介质层表面；

字线填充部，填充于所述导电层包围形成的沟槽空间内；

其中，所述导电层的上端面以及所述字线填充部的上端面皆内沉于所述半导体衬底的上表面，所述内沉深度大于所述第二字线部的设置高度。

3.如权利要求2所述的存储晶体管的字线结构，其特征在于，所述第二字线部的横截面面积小于所述字线填充部的横截面面积。

4.如权利要求2所述的存储晶体管的字线结构，其特征在于，所述字线填充部的构成材料包括金属钨，所述导电层的构成材料包括氮化钛，所述隔离绝缘层的构成材料包括氧化硅、氮化硅、正硅酸乙酯以及硼磷硅玻璃中的一种。

5.如权利要求1所述的存储晶体管的字线结构，其特征在于，所述第一绝缘层在所述字线沟槽的内壁的保留厚度大于等于两倍的所述栅介质层在所述字线沟槽的侧壁上的厚度。

6.如权利要求1-5任一项所述的存储晶体管的字线结构，其特征在于，所述半导体衬底的上表面在所述字线沟槽的开口区域显露出所述栅介质层的上端面、所述第一绝缘层的上端面及所述第二绝缘层的上端面。

7.一种存储晶体管，其特征在于，包括在半导体衬底中的源区和漏区以及栅极，其中，所述半导体衬底中开设有字线沟槽，所述源区和所述漏区形成于所述半导体衬底的表层，且被所述字线沟槽隔离，所述栅极包括形成于所述字线沟槽中的如权利要求1至6任一项所述的存储晶体管的字线结构。