[实用新型]一种背照式图像传感器有效
| 申请号： | 201820917098.0 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN208225881U | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 罗新东 | 申请（专利权）人： | 深圳卓领科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨伦 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区深南大道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电二极管 基板 背照式图像传感器 第一导电类型 隔离层 栅电极 高浓度杂质区 本实用新型 基板前表面 介电层 前表面 吸光层 绝缘层 离子注入过程 固定电荷层 导电类型 激光退火 暗电流 背表面 导线层 钉扎层 重掺杂 省略 透射 延伸 覆盖 吸收 | ||
1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括第一导电类型隔离层(3)、具有第一导电类型的基板(1)以及具有第二导电类型的光电二极管(2)；
所述光电二极管(2)设置于所述基板(1)内，所述第一导电类型隔离层(3)设置在所述光电二极管(2)与所述基板(1)的前表面之间；
所述基板(1)内还设置有具有第二导电类型重掺杂的高浓度杂质区(4)，所述高浓度杂质区(4)与所述光电二极管(2)间隔设置；
所述高浓度杂质区(4)与所述光电二极管(2)之间的基板(1)前表面上设置有栅电极(5)，所述栅电极(5)延伸至对应第一导电类型隔离层(3)的基板(1)前表面上，栅电极(5)对应覆盖光电二极管(2)，所述栅电极(5)包括栅氧化层(51)、栅极层(52)和栅极侧墙(53)；
所述基板(1)的前表面还设置有介电层(6)和导线层(7)，所述介电层(6)内设置有吸光层(8)；
所述基板(1)的背表面设置有绝缘层(9)和固定电荷层(10)。
2.根据权利要求1所述的一种背照式图像传感器，其特征在于，还包括具有第一导电类型的背钉扎层(11)，所述背钉扎层(11)设置在所述光电二极管(2)与所述基板(1)的背表面之间。
3.根据权利要求1所述的一种背照式图像传感器，其特征在于，所述固定电荷层(10)上设置有第二绝缘层(12)，所述第二绝缘层(12)上设置有钝化层(13)，所述钝化层(13)上依次设置有滤光膜层(14)和微透镜层(15)。
4.根据权利要求1所述的一种背照式图像传感器，其特征在于，所述基板(1)上还设置有装置隔离区(16)且环绕于所述光电二极管(2)的外围。
5.根据权利要求1所述的一种背照式图像传感器，其特征在于，所述第一导电类型为P型，第二导电类型为N型；第一导电类型为N型时，第二导电类型为P型。
6.根据权利要求1所述的一种背照式图像传感器，其特征在于，所述介电层(6)和吸光层(8)为一体结构。
7.根据权利要求1所述的一种背照式图像传感器，其特征在于，所述吸光层(8)的材质为碳或者三氧化铬。
8.根据权利要求7所述的一种背照式图像传感器，其特征在于，所述吸光层(8)的材质为石墨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
