[实用新型]静电保护电路、阵列基板及显示装置有效
| 申请号: | 201820855116.7 | 申请日: | 2018-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN208189588U | 公开(公告)日: | 2018-12-04 |
| 发明(设计)人: | 李盼;乔勇;郝学光 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;王卫忠 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 静电保护电路 信号线 阵列基板 电压线 显示装置 本实用新型 第一开关 开关单元 静电 导通 施加 低电平电压 高电平电压 开关组件 直线布置 周边区域 响应 源层 占用 | ||
1.一种静电保护电路,其特征在于,所述静电保护电路包括:
第一电压线,施加有高电平电压;
第二电压线,施加有低电平电压;
开关组件,包括沿直线布置并共用有源层的多个第一开关单元和多个第二开关单元,
其中,
所述多个第一开关单元分别连接在多条信号线与第一电压线之间,并响应于信号线上的负静电而导通;
所述多个第二开关单元分别连接在所述多条信号线与第二电压线之间,并响应于信号线上的正静电而导通,
其中,所述多条信号线设置在阵列基板的周边区域。
2.根据权利要求1所述的静电保护电路,其特征在于,所述多个第一开关单元和所述多个第二开关单元所在的直线设置在所述多条信号线的一侧。
3.根据权利要求1所述的静电保护电路,其特征在于,与同一信号线对应的第一开关单元和第二开关单元彼此相邻地布置。
4.根据权利要求3所述的静电保护电路,其特征在于,与所述同一信号线对应的第一开关单元和第二开关单元构成开关单元组,并且与所述同一信号线对应的开关单元组通过同一信号线连接线连接到信号线。
5.根据权利要求4所述的静电保护电路,其特征在于,彼此相邻的开关单元组按照第一开关单元彼此相邻或第二开关单元彼此相邻来布置。
6.根据权利要求5所述的静电保护电路,其特征在于,彼此相邻的第一开关单元通过同一第一电压线连接线连接到第一电压线,彼此相邻的第二开关单元通过同一第二电压线连接线连接到第二电压线。
7.根据权利要求1所述的静电保护电路,其特征在于,开关组件包括第一开关组件和第二开关组件,
第一开关组件的第一开关单元和第二开关单元沿第一直线布置,
第二开关组件的第一开关单元和第二开关单元沿平行于第一直线的第二直线布置。
8.根据权利要求7所述的静电保护电路,其特征在于,所述多条信号线包括多条第一信号线和多条第二信号线,第一开关组件所在的第一直线和第二开关组件所在的第二直线设置在所述多条第一信号线和所述多条第二信号线之间。
9.根据权利要求8所述的静电保护电路,其特征在于,第一开关组件中的至少一个第一开关单元和第二开关组件中的至少一个第一开关单元通过同一第一电压线连接线连接到第一电压线,第一开关组件中的至少一个第二开关单元和第二开关组件中的至少一个第二开关单元通过同一第二电压线连接线连接到第二电压线。
10.根据权利要求1至9中任意一项所述的静电保护电路,其特征在于,第一开关单元包括串联连接的第一晶体管和第二晶体管,第二开关单元包括串联连接的第三晶体管和第四晶体管。
11.根据权利要求10所述的静电保护电路,其特征在于,
第一晶体管的第一端连接至信号线,第一晶体管的栅极和第二端彼此连接;
第二晶体管的第一端连接至第一晶体管的第二端,第二晶体管的第二端和栅极彼此连接并连接至第一电压线;
第三晶体管的第一端和栅极彼此连接并连接至信号线;
第四晶体管的第一端和栅极彼此连接并连接至第三晶体管的第二端,第四晶体管的第二端连接至第二电压线。
12.根据权利要求11所述的静电保护电路,其特征在于,第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管共用沿直线布置的有源层。
13.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
多条信号线,设置在阵列基板的周边区域;以及
根据权利要求1至12中任意一项所述的静电保护电路,连接至所述多条信号线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





