[实用新型]基板处理装置有效
| 申请号: | 201820854222.3 | 申请日: | 2018-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN208478296U | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
| 发明(设计)人: | 李湘濬 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 朱健;张国香 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基板处理装置 工艺流体 供给管 本实用新型 基板处理 腔室内部 开口部 腔室 引导部件 波纹管 气密性 伸缩 密闭 定性 包围 移动 | ||
1.一种基板处理装置,其包括:
腔室,其用于进行基板处理;
工艺流体供给管,其设置于所述腔室的内部并向腔室内部供给工艺流体;
引导部件,其引导所述工艺流体供给管的移动且形成有开口部;
波纹管,其可伸缩,包围所述工艺流体供给管并对所述开口部进行密闭。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述工艺流体供给管形成为可以进行升降及旋转。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
控制部,其根据所述基板处理工艺的进行状况,使得所述工艺流体供给管升降及旋转。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述腔室设置有多个所述工艺流体供给管,
并且包括所述控制部,所述控制部使得多个所述工艺流体供给管单独地进行升降及旋转。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
为了保持所述腔室的气密性,所述波纹管结合于所述工艺流体供给管和所述引导部件之间。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
轴承,其设置为能够使得所述工艺流体供给管和所述波纹管之间进行相对旋转。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述轴承设置于所述工艺流体供给管和所述波纹管之间的空间。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述轴承是滚动轴承。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,
所述轴承包括在隔着球的状态下进行相对旋转的内轮和外轮,
设置为利用所述内轮使得所述工艺流体供给管旋转,利用所述内轮和外轮使得所述工艺流体供给管升降。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其特征在于,
所述内轮结合于所述工艺流体供给管,所述外轮结合于所述波纹管的上端。
11.根据权利要求9所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述工艺流体供给管的外周面设置有向半径方向外侧凸出的法兰,
所述法兰和所述内轮通过紧固部件进行结合。
12.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述轴承是不锈钢(SUS)材料。
13.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述工艺流体供给管通过气缸的驱动进行升降及旋转。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置,其特征在于,
所述气缸是附着有波纹管的波纹管形气缸,波纹管连接推杆和气缸本体。
15.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
净化气体供给部,其向所述引导部件和所述工艺流体供给管之间的空间及所述波纹管和所述工艺流体供给管之间的空间供给净化气体。
16.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述波纹管是不锈钢(SUS)材料。
17.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述工艺流体供给管直线贯通所述腔室,连接所述腔室的内部和外部。
18.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述工艺流体供给管与用于固定所述轴承的轴承固定部件相结合。
19.根据权利要求18所述的基板处理装置,其特征在于,
所述轴承固定部件围绕所述轴承的上部及外侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





