[实用新型]一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管

权利要求书

1.一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管，其特征在于，包括：由下至上层叠的漏电极(101)、n⁺-Ga₂O₃衬底(102)以及n^--Ga₂O₃耐压层(103)，所述的n^--Ga₂O₃耐压层(103)上表面设置条状延伸的n^--Ga₂O₃沟道层(104)，在所述n^--Ga₂O₃沟道层(104)上表面向上依次设有n⁺-Ga₂O₃接触层(105)和源电极(108)；在所述n^--Ga₂O₃沟道层(104)、n⁺-Ga₂O₃接触层(105)侧面和n^--Ga₂O₃耐压层(103)上表面设有用于绝缘的栅介质层(106)，所述栅介质层(106)在n^--Ga₂O₃沟道层(104)和n^--Ga₂O₃耐压层(103)连接处相对应的另一表面设有栅电极(107)；所述的n^--Ga₂O₃沟道层(104)和n⁺-Ga₂O₃接触层(105)组成三维鳍片状结构，所述的三维鳍片状结构在n^--Ga₂O₃耐压层(103)上表面平行设置两组或以上。

2.根据权利要求1所述一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管，其特征在于，所述三维鳍片状结构的宽度为x，则x的范围为10nm≤x≤1μm。

3.根据权利要求1所述一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管，其特征在于，所述n^--Ga₂O₃耐压层(103)的掺杂浓度为5×10¹⁴cm^-3至1×10¹⁸cm^-3，厚度为2μm至5mm。

4.根据权利要求1所述一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管，其特征在于，所述n^--Ga₂O₃沟道层(104)的掺杂浓度为5×10¹⁴cm^-3至1×10¹⁸cm^-3，厚度为300nm至5μm。

5.根据权利要求1所述一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管，其特征在于，所述n⁺-Ga₂O₃衬底(102)和n⁺-Ga₂O₃接触层(105)的掺杂浓度为5×10¹⁷cm^-3至1×10²⁰cm^-3。

6.根据权利要求1所述一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管，其特征在于，所述漏电极(101)与n⁺-Ga₂O₃衬底(102)表面为欧姆接触；所述源电极(108)与n⁺-Ga₂O₃接触层(105)表面为欧姆接触。

7.根据权利要求1所述一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管，其特征在于，所述栅电极(107)通过所述栅介质层(106)与所述三维鳍片状结构绝缘，所述栅电极(107)设置在三维鳍片状结构左右两侧。