[实用新型]一种可单片集成的正温度系数补偿振荡器电路

说明书

一种可单片集成的正温度系数补偿振荡器电路包括启动电路、偏置电路、温度补偿电路和振荡器电路。振荡器电路中的充放电电容为MIM电容，其电容值具有负温度特性，即随着温度的上升，电容值减小，一般其温度系数为‑50ppm/℃。为补偿该电容的负温度特性，本实用新型采用正温度系数的偏置电路和温度补偿电路，选用不同正温度系数的电阻组合对电容的充放电电流进行温度补偿，以抵消电容的负温度特性，实现振荡器时钟频率的精确输出。

技术领域

本实用新型涉及一种补偿电路，特别提供一种可单片集成的正温度系数补偿振荡器电路。

背景技术

传统振荡器电路一般采用片外晶体振荡器来得到时钟信号，晶体振荡器和锁相环结合能得到稳定的时钟，但需要芯片提供单独的引脚，不利于集成和产品的小型化，并增加了应用成本。而可片内集成的振荡器电路，一般通过对电容的充放电实现，其结构简单，但振荡频率易受生产工艺和应用温度的影响，产品的一致性较差。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型的目的是提供了一种振荡器时钟频率精确输出的可单片集成的正温度系数补偿振荡器电路。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：一种可单片集成的正温度系数补偿振荡器电路包括启动电路、偏置电路、温度补偿电路和振荡器电路；

所述启动电路包括P型场效应管MP1、MP2，N型场效应管MN1、MN2和电容C1；所述P型场效应管MP1的栅极与P型场效应管MP2的栅极连接后接地，漏极和P型场效应管MP2的漏极连接电源，源极连接N型场效应管MN1的漏极；所述N型场效应管MN1的漏极与栅极两端相连，栅极连接N型场效应管MN2的栅极，源极接地；所述N型场效应管MN2的漏极连接P型场效应管MP2的源极和电容C1的一端，源极连接电容C1另一端；

所述偏置电路包括P型场效应管MP3、MP4、MP5，三极管Q1、Q2和电阻R1、R2；所述P型场效应管MP3、MP4、MP5的漏极连接电源，P型场效应管MP3的栅极连接P型场效应管MP4的栅极，源极连接启动电路的N型场效应管MN2的源极和三极管Q1的集电极；所述P型场效应管MP4的栅极与源极两端相连，源极连接P型场效应管MP5的栅极和三极管Q2的集电极；所述三极管Q1的集电极与基极两端相连，基极连接三极管Q2的基极，发射极接地；所述三极管Q2的发射极串接电阻R1后和P型场效应管MP5的源极串接电阻R2后并联接地；

所述温度补偿电路包括电阻R3、R4，修调电阻阵列Rtrim，PNP型三极管Q3，NPN型三极管Q4和P型场效应管MP6；所述电阻R3的一端和P型场效应管MP6的漏极接电源，所述电阻R3的另一端连接三极管Q3的发射极，所述P型场效应管MP6的栅极和源极两端相连，源极连接三极管Q4的集电极；所述三极管Q4的发射极通过修调电阻阵列Rtrim接地，基极接于电阻R3和三极管Q3之间；所述三极管Q3的基极接于偏置电路中的P型场效应管MP5和电阻R2之间，集电极通过电阻R4接地；