[实用新型]一种柱状电容结构

权利要求书

1.一种柱状电容结构，其特征在于，所述柱状电容结构包括：

基底；

分立设置的多个接触垫，阵列排布于所述基底中；

分立设置的多个电容下电极板，所述电容下电极板包括一柱状主体，且每个所述柱状主体分别与一个所述接触垫连接；

电容介电层，被覆于多个所述电容下电极板表面；

电容上电极板，被覆于所述电容介电层表面。

2.根据权利要求1所述的柱状电容结构，其特征在于：所述柱状主体的宽度范围是35～100nm。

3.根据权利要求1所述的柱状电容结构，其特征在于：所述柱状主体的底面积大于所述接触垫的顶面积。

4.根据权利要求1所述的柱状电容结构，其特征在于：所述电容下电极板与所述电容上电极板的材料电阻率范围是1×10^-8Ωm到1×10²Ωm，所述电容介电层的材料介电常数范围是4～400。

5.根据权利要求1所述的柱状电容结构，其特征在于：所述柱状电容结构更包括电容上电极板连接层，所述电容上电极连接层被覆于所述电容上电极板表面，并填充相邻所述电容下电极板之间的间隙。

6.根据权利要求5所述的柱状电容结构，其特征在于：所述柱状电容结构更包括连线接触层，所述连线接触层形成于所述电容上电极板连接层之上。

7.根据权利要求1所述的柱状电容结构，其特征在于：所述柱状电容结构更包括隔离绝缘层，所述隔离绝缘层被覆于所述基底表面，并在与所述接触垫相对应的位置具有暴露出所述接触垫的开口，所述柱状主体的底部位于所述开口中，并与所述接触垫连接。

8.一种柱状电容结构，其特征在于，所述柱状电容结构包括：

基底；

分立设置的多个接触垫，阵列排布于所述基底中；

分立设置的多个电容下电极板，所述电容下电极板包括一柱状主体以及连接于所述柱状主体侧壁的多层环形侧翼，各层所述环形侧翼分立设置，每个所述柱状主体(2061)分别与一个所述接触垫连接；

电容介电层，被覆于多个所述电容下电极板表面；

电容上电极板，被覆于所述电容介电层表面。

9.根据权利要求8所述的柱状电容结构，其特征在于：所述环形侧翼的厚度小于相邻所述环形侧翼的间距，相邻所述环形侧翼的间距范围是20～500nm。

10.根据权利要求8所述的柱状电容结构，其特征在于：所述柱状主体的宽度范围是35～100nm，所述环形侧翼的厚度范围是3～30nm，宽度范围是40～105nm。

11.根据权利要求8所述的柱状电容结构，其特征在于：所述柱状主体的底面积大于所述接触垫的顶面积。

12.根据权利要求8所述的柱状电容结构，其特征在于：所述电容下电极板与所述电容上电极板的材料电阻率范围是1×10^-8Ωm到1×10²Ωm，所述电容介电层的材料介电常数范围是4～400。

13.根据权利要求8所述的柱状电容结构，其特征在于：所述柱状电容结构更包括电容上电极板连接层，所述电容上电极连接层被覆于所述电容上电极板表面，并填充相邻所述电容下电极板之间的间隙。

14.根据权利要求13所述的柱状电容结构，其特征在于：所述柱状电容结构更包括连线接触层，所述连线接触层形成于所述电容上电极板连接层之上。

15.根据权利要求8所述的柱状电容结构，其特征在于：所述柱状电容结构更包括隔离绝缘层，所述隔离绝缘层被覆于所述基底表面，并在与所述接触垫相对应的位置具有暴露出所述接触垫的开口，所述柱状主体的底部位于所述开口中，并与所述接触垫连接。